双温载台（四针）芯片测试机-武汉普赛斯电子股份有限公司手机版

产品应用

• 设备用于Lidar应用激光器芯片、工业级高功率激光器，医疗与显示等高功率激光器芯片领域

产品特点

• 支持多种主流规格料盒，全自动上下料，避免转料或人工操作对巴条chip造成的报废

• 支持BAR条自动上料、首颗chip识别定位，支持ID识别、自动测试、自动判断BAR条测试结束、自动下料

• 吸嘴、探针与BAR条接触压力可调
• 自制4探针结构，支持四线制电压测试，电流加电回路低电感设计，支持ns级窄脉冲输出,2个针P极，2个针N极；探针结构支持探针下压力可控调节、支持压力检测

• 集成自主开发的大电流30A、窄脉冲100ns测试仪表，支持BAR条LIV、光谱、远场测试

• 典型LIV测试曲线

• 支持MAP图绘制，方便用户对wafer的性能分布情况分析

• 支持NG Chip打点标记，支持简单的芯片外观检查
• 支持常温、高温测试
• 多维度可调测量结构，满足用户对不同规格巴条测量需求

参数	指标
适用巴条尺寸	长度：15~30mm 宽度：1~3mm，其他BAR条宽度可定制测试台
脉冲电流输出	范围0~30A，精度0.5%rdg±200mA
脉冲特性	最小脉宽：100ns，占空比：0.1%
脉冲电压测量	范围0~40V，精度0.5%rdg±200mV 四线制，峰值检测
脉冲电流测量	范围0~30A，精度0.5%rdg±200mA，峰值检测
光功率测量	等效光电流检测量程和精度：范围0~5mA，0.5%rdg±25uA，峰值检测基础配置支持100W输入光功率，不同功率范围可配置不同的衰减片，支持定制
远场发散角测试	范围±45°
测试效率 (典型值)[1]	单颗chip单温度测试时间： LIV+光谱（1个电流点）+ID识别+机械运动总时间<9s（不包含上下料运动时间）
波长范围	默认PD:800-1700 nm，短波长可选配400-1100的PD
高温台温控范围	室温+15～85℃，精度<±1℃
工作台温度串扰	高温台@85℃，常温台相对室温不高于3℃
常温台温控范围	25~50℃，精度±1℃
设备尺寸	含信号灯及显示器，1250mm×1070mm×1900mm(L×W×H)
气源要求	正压：不低于0.4MPa 负压：如有，不高于-80KPa

产品简介