InGaAs盖革模式雪崩光电二管 0.9-1.7μm 带TCE

IGA-APD-GM104-R-TECInGaAs盖革模式雪崩光电二管 0.9-1.7μm 带TCE

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2024-06-08 10:49:07
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筱晓（上海）光子技术有限公司

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产品简介

InGaAs盖革模式雪崩光电二管（内置TEC制冷型）总览InGaAs雪崩光电二管（APD）是短波近红外单光子检测的用器件，可满足量子通信、弱光探测等域对高效率低噪声单光子检测的技术需求，实现对0.9~1.7m波长的单光子探测

详细介绍

 

InGaAs盖革模式雪崩光电二管 （内置TEC制冷型）




总览

InGaAs 雪崩光电二管（APD）是短波近红外单 光子检测的用器件，可满足量子通信、弱光探测等 域对高效率低噪声单光子检测的技术需求，实现对0.9 ~ 1.7μm波长的单光子探测。

 
光谱响应
900-1700nm 
 
响应度
@1550nm 0.85 A/W 
 
技术参数

线性模式参数

产品型号

IGA-APD-GM104-TEC

参数

符号

单位

测试条件

小

典型

大

反向击穿电压

VBR

V

22℃±3℃ ，ID =10μA

60

80

90

响应度

Re

A/W

22℃±3℃，λ =1550nm ，M =1

0.8

0.85

  

暗电流

ID

nA

22℃±3℃，M =10

  

0.1

0.3

电容

C

pF

22℃±3℃ ，M =10， f=1MHz

    

0.25

击穿电压温度系数

η

V/K

-40℃ ~80℃，ID =10μA

    

0.15

 

盖革模式参数

参数

单位

测试条件

小

典型

大

单光子探测效率 PDE

%

-45℃ ，λ =1550nm ，0.1ph/pulse，泊松分布单光子源

20

    

暗计数率 DCR

 

kHz

-45℃，1ns门宽，2MHz门控重频，1MHz光重频，PDE=20%

    

 

20*

后脉冲概率 APP

  

-45℃，1ns门宽，2MHz门控重频，1MHz光重频，PDE=20%

    

1× 10-3

时间抖动Tj

ps

-45℃，1ns 门宽，2MHz门控重频，PDE=20%

    

100

* 可提供不同等规格产品

 

室温IV曲线

DCR-PDE(-45℃, fg=2MHz)

温度系数

电容电压

 

产品特点

● 光谱响应范围0.9~1.7μm 

● 高探测效率、低暗计数率 

● 6 pin TO8

尺寸规格

封装外形、尺寸及引脚定义 TO8 （尾纤封装）


产品应用

● 弱光探测 

● 量子保密通信 

● 生物医疗

更新时间：2023/5/24 17:35:26

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