UPD-35-IR2-FR-UPD超快光电探测器 800-1700nm InGaAs 带宽>10GHz-筱晓（上海）光子技术有限公司手机版

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ALPHLAS UPD超快光电探测器 800-1700nm , InGaAs

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ALPHLAS UPD系列自由空间入射超快光电探测器系列适合用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测短为15ps上升时间的光脉冲信号，覆盖从170至2600nm的光谱范围。所有探测器都由紧凑坚实的过氧化铝外壳封装，供电方式可以采用电池或外接电源。是可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。另一种类型的紫外线敏感的InGaAs 探测器，可用于检测从350到1700纳米范围内的激光脉冲，因此具有宽的光谱范围和高的响应速度。

的阻抗匹配和的微波技术，确保测量的脉冲波形的保真度。用户可以自由使用50Ω的匹配电阻，进行高响应速度的检测。或为获得大的信号响应曲线，加入高阻抗负载。保证了UPD产品为不同的应用提供大的灵活性。结合BBA系列宽带高增益放大器，高速光探测器对于取代昂贵和繁琐的雪崩光电二管是一个好的选择。UPD的系列高速光电探测器是激光和光子学研究的的工具。

技术参数

产品型号	上升时间ps	带宽GHz	光谱范围nm	光敏面积直径μm/mm2	暗电流nA	输出接口	材料
UPD-15-IR2-FC	< 15	>25	800-1700	光纤, 9 µm	0.1	SMA	InGaAs
UPD-30-VSG-P	< 30	>10	320-900	200×200 / 0.04	0.1	SMA	GaAs
UPD-35-IR2-P	< 35	>10	800-1700	55 / 0.0024	0.3	SMA	InGaAs
UPD-35-IR2-D	< 35	>10	800-1700	55 / 0.0024	0.3	SMA	InGaAs
UPD-35-IR2-FR	< 35	>10	800-1700	55 / 0.0024	0.3	SMA	InGaAs
UPD-35-IR2-FC	< 35	>10	800-1700	光纤, 9 µm	0.3	SMA	InGaAs
UPD-35-UVIR-P	< 35	>10	350-1700	55 / 0.0024	0.3	SMA	InGaAs
UPD-35-UVIR-D	< 35	>10	350-1700	55 / 0.0024	0.3	SMA	InGaAs
UPD-40-VSI-P	< 40	>8.5	500-1690	200×200 / 0.04	5000	SMA	InGaAs
UPD-40-IR2-P	< 40	>8.5	800-1700	60 / 0.0028	0.5	SMA	InGaAs
UPD-40-IR2-D	< 40	>8.5	800-1700	60 / 0.0028	0.5	SMA	InGaAs
UPD-40-IR2-FR	< 40	>8.5	800-1700	60 / 0.0028	0.5	SMA	InGaAs
UPD-40-IR2-FC	< 40	>8.5	800-1700	光纤, 9 µm	0.5	SMA	InGaAs
UPD-40-UVIR-P	< 40	>8.5	350-1700	60 / 0.0028	0.5	SMA	InGaAs
UPD-40-UVIR-D	< 40	>8.5	350-1700	60 / 0.0028	0.5	SMA	InGaAs
UPD-50-SP	< 50	>7.0	320-1100	100 / 0.0079	0.001	SMA	Si
UPD-50-SD	< 50	>7.0	320-1100	100 / 0.0079	0.001	SMA	Si
UPD-50-UP	< 50	>7.0	170-1100	100 / 0.0079	0.001	SMA	Si
UPD-50-UD	< 50	>7.0	170-1100	100 / 0.0079	0.001	SMA	Si
UPD-70-IR2-P	< 70	>5.0	800-1700	80 / 0.005	0.8	SMA	InGaAs
UPD-70-IR2-D	< 70	>5.0	800-1700	80 / 0.005	0.8	SMA	InGaAs
UPD-70-IR2-FR	< 70	>5.0	800-1700	80 / 0.005	0.8	SMA	InGaAs
UPD-70-IR2-FC	< 70	>5.0	800-1700	光纤, 9 µm	0.8	SMA	InGaAs
UPD-70-UVIR-P	< 70	>5.0	350-1700	80 / 0.005	0.8	SMA	InGaAs
UPD-70-UVIR-D	< 70	>5.0	350-1700	80 / 0.005	0.8	SMA	InGaAs
UPD-100-IR1-P	< 100	>3.0	400-2000	80 / 0.005	700	SMA	Ge
UPD-200-SP	< 175	>2.0	320-1100	400 / 0.126	0.001	BNC	Si
UPD-200-SD	< 175	>2.0	320-1100	400 / 0.126	0.001	BNC	Si
UPD-200-UP	< 175	>2.0	170-1100	400 / 0.126	0.001	BNC	Si
UPD-200-UD	< 175	>2.0	170-1100	400 / 0.126	0.001	BNC	Si
UPD-300-SP	< 300	>1.0	320-1100	600 / 0.283	0.01	BNC	Si
UPD-300-SD	< 300	>1.0	320-1100	600 / 0.283	0.01	BNC	Si
UPD-300-UP	< 300	>1.0	170-1100	600 / 0.283	0.01	BNC	Si
UPD-300-UD	< 300	>1.0	170-1100	600 / 0.283	0.01	BNC	Si
UPD-500-SP	< 500	>0.6	320-1100	800 / 0.5	0.01	BNC	Si
UPD-500-SD	< 500	>0.6	320-1100	800 / 0.5	0.01	BNC	Si
UPD-500-UP	< 500	>0.6	170-1100	800 / 0.5	0.01	BNC	Si
UPD-500-UD	< 500	>0.6	170-1100	800 / 0.5	0.01	BNC	Si
UPD-3N-IR2-P	< 150	>0.4	800-2100	300 / 0.07	90	BNC	InGaAs
UPD-5N-IR2-P	< 200	>0.3	800-2600	300 / 0.07	2000	BNC	InGaAs
UPD-2M-IR2-P	< 75000	>0.004	900-1700	2000 / 3.14	5	BNC	InGaAs
UPD-2M-IR2-P-1TEC	< 75000	>0.004	900-1700	2000 / 3.14	0.3	BNC	InGaAs

几种典型产品光谱响应范围

产品特点

● 超高速运行

● 上升时间：15 ps - 500ps

● 带宽：高达25 GHz

● 光谱范围：170 - 2600纳米

● 紧凑封装

● 电池或外部电源

● 自由空间光入射或FC/PC型

● 接头或光纤尾纤

通用参数

单位（mm）

产品应用

● 脉冲形式测量

● 脉冲宽度测量

● 精确的同步

● 模式变化监控

● 外差测量

更新时间：2023/5/24 17:35:26

产品简介

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ALPHLAS UPD超快光电探测器 800-1700nm , InGaAs