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NLIR D2250 10GHz 超快窄带单波长红外探测器 2.2-5.0um 34ps
面议法兰式InGaAS铟镓砷探测器模块 (900-1700nm 光敏面直径 100um)
面议InGaAs光电平衡探测器 800-1700nm 带宽DC-350M
面议硅Si高灵敏度雪崩光电二管APD模块 光谱响应200-1000nm
面议铟镓砷PIN光电二管 感光面积φ3mm 封装TO-5
面议铟镓砷PIN光电二管 感光面积φ0.3mm 封装TO-18
面议铟镓砷PIN光电二管 感光面积φ2mm 封装TO-5
面议InGaAs单元探测器 光谱相应800-1700nm 带宽AC-800M
面议InGaAs单元探测器 光谱相应800~1700nm 带宽AC-1.6G
面议InGaAs单元探测器 带宽DC-350M 光谱相应800-1700nm
面议InGaAs单元探测器 DC-200M 光谱相应800~1700nm
面议InGaAs盖革模式雪崩光电二管 非制冷型 0.9-1.7μm
面议这是一款超快中红外光电探测器,响应带宽超过20GHz (-3 dB)。它无偏压工作,不需要冷却,因此不需要外部电源。安装过程只需两个简单步骤:将SMA装置连接到测量仪器(示波器等),并将入射光定向到内部聚焦透镜。
特征
响应超过20GHz的超快中红外光电探测器
频率响应范围 (-3 dB): 直流到 20 GHz
敏感波长峰值: 4.65 µm
光敏性: 1 mA/W (典型值)
无需冷却,无需偏置操作
应用
外差检波
高频/高时间分辨测量
参数 | 描述 | 单位 |
连接器类型 | SMA | — |
冷却 | 非冷却 | — |
镜头 | 聚焦透镜 *1 | — |
光圈 | 4.5 | mm |
偏振方向 | 在机身有标记 *2 | — |
*2 见 "表 4"
参数 | 符号 | 值 | 单位 |
工作温度*1 | Topr | -10 至 +50 | °C |
储存温度*1 | Tstg | -10 至 +50 | °C |
入射光水平 | Pmax | 1 | W/cm2 |
* 无需偏置操作
* 环境温度: Ta=25 °C
参数 | 符号 | 条件 | 小值 | 典型值 | 大值 | 单位 |
敏感波长峰值 | P | — | 4.60 | 4.65 | 4.70 | µm |
光敏性 | S | λ=λp, f0=1200 Hz, Δf=1 Hz | 0.5 | 1.0 | — | mA/W |
探测率 | D* | λ=λp, f0=1200 Hz, Δf=1 Hz | 8.0 × 108 | 1.5 × 109 | — | cm·Hz1/2/W |
噪声等效功率 | NEP | λ=λp, f0=1200 Hz | — | 3.0 × 10-10 | 1.0 × 10-9 | W/Hz1/2 |
截止频率 | fc | -3 dB down, Zi=5Ω | 18 | 20 | — | GHz |
终端电容 | Ct | f=1 MHz | — | 1.1 | 1.5 | pF |
并联电阻 | Rsh | Vmeas=10 mV | 70 | 90 | 110 | k |
* 环境温度: Ta=25 °C
表1: 光谱响应 (例子)
更新时间:2023/5/24 17:35:17