品牌
其他厂商性质
上海市所在地
NLIR D2250 10GHz 超快窄带单波长红外探测器 2.2-5.0um 34ps
面议
法兰式InGaAS铟镓砷探测器模块 (900-1700nm 光敏面直径 100um)
面议
UPD超快光电探测器 800-1700nm InGaAs 带宽>10GHz
面议
微通道板光电倍增管 峰值波长430nm 直径55mm
面议
InGaAs光电平衡探测器 800-1700nm 带宽DC-350M
面议
硅Si高灵敏度雪崩光电二管APD模块 光谱响应200-1000nm
面议
InGaAs单元探测器 光谱相应800-1700nm 带宽AC-800M
面议
InGaAs单元探测器 光谱相应800~1700nm 带宽AC-1.6G
面议
InGaAs单元探测器 带宽DC-350M 光谱相应800-1700nm
面议
InGaAs单元探测器 DC-200M 光谱相应800~1700nm
面议
InGaAs盖革模式雪崩光电二管 0.9-1.7μm 带TCE
面议
铟镓砷InGaAs蝶形封装低噪声光电平衡探测器 1100~1700nm
面议InGaAs 光电二管主要用于近红外探测，具有高速、高灵敏度、低噪音、宽广普响应范围（0.5 μm to 2.6 μm）等特点。
产品特性
截止波长： 2.6μm
低成本
感光面积： φ2 mm
低噪声
高灵敏度
高可靠性
高速响应
产品应用
光功率计
气体分析
湿度计
近红外光度法
详细参数
| 感光面积 | φ2 mm |
| 像元个数 | 1 |
| 封装 | Metal |
| 封装类型 | TO-5 |
| 制冷方式 | Non-cooled |
| 光谱响应范围 | 0.9 to 2.6 μm |
| 峰值灵敏度波长(典型值) | 2.3 μm |
| 灵敏度 (典型值) | 1.3 A/W |
| 暗电流 (大值) | 100000 nA |
| 截至频率（典型值） | 1.5 MHz |
| 结电容(典型值) | 1800 pF |
| 噪声等效功率 (典型值) | 2×10-12 W/Hz1/2 |
| 测量条件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=λp, Dark current: VR=0.5 V, Cutoff frequency: VR=0 V, RL=50 Ω,Terminal capacitance: VR=0 V, f=1 MHz. |
光谱响应
外形尺寸（单位：mm）
InGaAs 光电二管主要用于近红外探测，具有高速、高灵敏度、低噪音、宽广普响应范围（0.5 μm to 2.6 μm）等特点。
产品特性
截止波长： 2.6μm
低成本
感光面积： φ2 mm
低噪声
高灵敏度
高可靠性
高速响应
产品应用
光功率计
气体分析
湿度计
近红外光度法
详细参数
| 感光面积 | φ2 mm |
| 像元个数 | 1 |
| 封装 | Metal |
| 封装类型 | TO-5 |
| 制冷方式 | Non-cooled |
| 光谱响应范围 | 0.9 to 2.6 μm |
| 峰值灵敏度波长(典型值) | 2.3 μm |
| 灵敏度 (典型值) | 1.3 A/W |
| 暗电流 (大值) | 100000 nA |
| 截至频率（典型值） | 1.5 MHz |
| 结电容(典型值) | 1800 pF |
| 噪声等效功率 (典型值) | 2×10-12 W/Hz1/2 |
| 测量条件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=λp, Dark current: VR=0.5 V, Cutoff frequency: VR=0 V, RL=50 Ω,Terminal capacitance: VR=0 V, f=1 MHz. |
光谱响应
外形尺寸（单位：mm）
更新时间：2023/5/24 17:35:26
