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NLIR D2250 10GHz 超快窄带单波长红外探测器 2.2-5.0um 34ps
面议法兰式InGaAS铟镓砷探测器模块 (900-1700nm 光敏面直径 100um)
面议InGaAs光电平衡探测器 800-1700nm 带宽DC-350M
面议硅Si高灵敏度雪崩光电二管APD模块 光谱响应200-1000nm
面议铟镓砷PIN光电二管 感光面积φ3mm 封装TO-5
面议铟镓砷PIN光电二管 感光面积φ0.3mm 封装TO-18
面议铟镓砷PIN光电二管 感光面积φ2mm 封装TO-5
面议InGaAs单元探测器 光谱相应800-1700nm 带宽AC-800M
面议InGaAs单元探测器 光谱相应800~1700nm 带宽AC-1.6G
面议InGaAs单元探测器 带宽DC-350M 光谱相应800-1700nm
面议InGaAs单元探测器 DC-200M 光谱相应800~1700nm
面议InGaAs盖革模式雪崩光电二管 非制冷型 0.9-1.7μm
面议MP4542- 2M是一款高灵敏大光敏面四象限光电探测模块,采用正照型四象限光电探测器与低噪声跨阻抗放大器混合集成。其四个电压输出端P1、P2、P3、P4分别对应于器件中探测器的四个象限,当探测器的四个象限接收的光强变化时,器件的四个电压输出端的电压也会随之线性变化。
主要性能指标(Tc=22±3℃)
参数名称 | 小值 | 典型值 | 大值 | 单位 |
工作波长范围 λ | 1000 | - | 1650 | nm |
电压响应度Rv | 2 | MV/W | ||
-3dB带宽f-3dB | 2 | - | - | MHz |
饱和输入光功率CW | -30 | - | - | dBm |
信号串扰SL | - | - | 5% | - |
增益非一致性 δ | - | - | 5% | - |
等效噪声功率密度NEP | - | - | 0.8 | pW/Hz1/2 |
线性输出电压幅度Vo | 3 | - | - | Vpp |
供电电流lcc | - | 48 | 50 | mA |
测试条件: VDD+=5V, VDD-=-5V, λ= 1.55 μm。 |
大额定值
参数名称 | 额定值 | 单位 |
贮存温度范围TSTG | -40 ~ +85 | °C |
工作温度范围Tc | -20 ~ +50 | °C |
偏置电压VCC | 5.2 | V |
光功率损伤阈值中ΦeM | -30 | dBm |
焊接温度Tsolder | 260( 10s ) | °C |
静电放电敏感度ESD | ≥250 | V |
更新时间:2023/5/24 17:35:17