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NLIR D2250 10GHz 超快窄带单波长红外探测器 2.2-5.0um 34ps
面议法兰式InGaAS铟镓砷探测器模块 (900-1700nm 光敏面直径 100um)
面议UPD超快光电探测器 800-1700nm InGaAs 带宽>10GHz
面议微通道板光电倍增管 峰值波长430nm 直径55mm
面议InGaAs光电平衡探测器 800-1700nm 带宽DC-350M
面议硅Si高灵敏度雪崩光电二管APD模块 光谱响应200-1000nm
面议铟镓砷PIN光电二管 感光面积φ3mm 封装TO-5
面议铟镓砷PIN光电二管 感光面积φ0.3mm 封装TO-18
面议铟镓砷PIN光电二管 感光面积φ2mm 封装TO-5
面议InGaAs单元探测器 光谱相应800-1700nm 带宽AC-800M
面议InGaAs单元探测器 光谱相应800~1700nm 带宽AC-1.6G
面议InGaAs单元探测器 带宽DC-350M 光谱相应800-1700nm
面议Microphotons的 MP-FDG50锗光电探测器(germanium (Ge) photodiode )是用来测量连续激光或者脉冲激光在工作波长 800 to 1800 nm的选择. 此探测器为TO-8 封装,便于集成到系统也便于客户单独使用。
Specifications | ||
Sensor Material | Ge | |
Wavelength Range | 800 - 1800 nm | |
Peak Wavelength | 1550 nm (Typ.) | |
Responsivity | 0.85 A/W (Typ.) | |
Active Area Diameter | 19.6 mm2 (Ø5 mm) | |
Rise/Fall Time (RL = 50 Ohms, 10 V) | 220 ns / 220 ns (Typ.) | |
NEP, Typical (1550 nm) | 4.0 x 10-12 W/Hz1/2 (Typ.) | |
Dark Current (5 V) | 60 µA (Max.) | |
Capacitance (10 V) | 1800 pF (Max.) | |
Shunt Resistance | 4000 Ohm (Typ.) | |
Package | TO-8 |
Max Ratings | ||
Max Bias (Reverse) Voltage | 10 V | |
Operating Temperature | -55 to 60 °C | |
Storage Temperature | -55 to 60 °C |
Ge探测器光谱响应图
尺寸图:
更新时间:2023/5/24 17:35:17