大光敏面锗(Ge)光电二极管-近红外波长

MP-FDG50大光敏面锗(Ge)光电二极管-近红外波长

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2024-06-07 10:21:53
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筱晓(上海)光子技术有限公司

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产品简介

大光敏面锗(Ge)光电二极管-近红外波长Microphotons的MP-FDG50锗光电探测器(germanium(Ge)photodiode)是用来测量连续激光或者脉冲激光在工作波长800to1800nm的选择.此探测器为TO-8封装,便于集成到系统也便于客户单独使用

详细介绍

 大光敏面Ge光电二极管-近红外波长

MicrophotonsMP-FDG50锗光电探测器(germanium (Ge) photodiode )是用来测量连续激光或者脉冲激光在工作波长 800 to 1800 nm的选择. 此探测器为TO-8 封装,便于集成到系统也便于客户单独使用。

Specifications

Sensor Material

Ge

Wavelength Range

800 - 1800 nm

Peak Wavelength

1550 nm (Typ.)

Responsivity

0.85 A/W (Typ.)

Active Area Diameter

19.6 mm2 (Ø5 mm)

Rise/Fall Time (RL = 50 Ohms, 10 V)

220 ns / 220 ns (Typ.)

NEP, Typical (1550 nm)

4.0 x 10-12  W/Hz1/2 (Typ.)

Dark Current (5 V)

60 µA (Max.)

Capacitance (10 V)
Capacitance (0 V)

1800 pF (Max.)
16000 pF (Max.)

Shunt Resistance

4000 Ohm (Typ.)

Package

TO-8

Max Ratings

Max Bias (Reverse) Voltage

10 V

Operating Temperature

-55 to 60 °C

Storage Temperature

-55 to 60 °C


Ge探测器光谱响应图




尺寸图:


更新时间:2023/5/24 17:35:17

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