英飞凌/Infineon 品牌
经销商厂商性质
深圳市所在地
TO-247 M系列封装中的200V单N沟道功率MOSFET
特征描述
宽SOA的平面单元结构
针对分销合作伙伴提供的广泛的可用性进行了优化
根据JEDEC标准进行产品鉴定
硅优化用于低于100kHz的切换应用
行业标准通孔电源组件
高电流额定值
优势
增强耐用性
分发合作伙伴的广泛可用性
行业标准资质等级
低频应用中的高性能
标准插脚允许插入式更换
高载流能力
型号： | IRFP260MPBF |
封装： | TO-247 |
类别： | 分立半导体产品晶体管- FET，MOSFET -单个 |
制造商： | Infineon Technologies |
系列： | HEXFET® |
FET类型： | N通道 |
漏源电压（Vdss）： | 200 V |
25°C时电流-连续漏极(Id)： | 50A（Tc） |
驱动电压（Rds On）： | 10V |
不同Id、Vgs时导通电阻值）： | 40毫欧@ 28A，10V |
不同Id时Vgs(th)： | 4V @ 250µA |
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)： | 234 nC @ 10 V |
Vgs： | ±20V |
不同Vds时输入电容(Ciss)： | 4057 pF @ 25 V |
功率耗散： | 300W（Tc） |
工作温度： | -55°C ~ 175°C（TJ） |
安装类型： | 通孔 |
