优化超结 MOSFET 兼具高能效和易用性

600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。

特征描述

效率

•      600V P7 支持优异 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G

使用方便

•      集成 ESD 二极管，从 180mN 起且高于 R DS(on)s

•      集成栅极电阻器 R G

•      坚固体二极管

•      涵盖通孔和表面封装的丰富产品线

•      标准级和工业级部件可供选择

优势

效率

•      优异 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss，实现更高效率

使用方便

•      避免 ESD 故障，在制造环境中确保易用性

•      集成 R G 降低 MOSFET 振荡敏感度

•      MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬开关拓扑和谐振开关拓扑

•      在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性

•      广泛适用于各种终端应用和输出功率

•      可选部件适用于消费和工业应用

潜在应用

•      电视电源

•      工业 SMPS

•      服务器

•      通信

•      照明