集成电路、微控制器
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IKW50N60T集成电路、微控制器

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2022-06-10 11:32:10
374
属性：
封装:TO-247；晶体管类型:双极性晶体管；批号: 2204+ 2051+ 21+；
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产品属性
封装
TO-247
晶体管类型
双极性晶体管
批号
2204+ 2051+ 21+
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深圳瑞兆来科技有限公司

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产品简介

600 V, 50 A IGBT，采用反并联二极管，TO-247 封装

600 V、50 A 硬开关 TRENCHSTOP™ IGBT3，采用TO247封装并集成了全电流的续流二极管。IGBT芯片由于结合了沟槽栅和场终止概念，显著提高了其静态和动态性能。另外，沟槽栅/场终止IGBT和发射极控制二极管的结合进一步降低了其开通损耗。由于在开关损耗和导通损耗之间采取了佳折衷，因此可实现高效率。

详细介绍

特征描述

•      更低的 VCEsat 压降可以降低导通损耗

•      低开关损耗

•      由于 VCEsat呈现正温度系数特性，因此易于进行器件的并联应用

•      非常软且快速恢复的反并联发射极控制二极管

•      具有高鲁棒性、温度稳定的特性

•      低电磁干扰辐射

•      低栅极电荷

•      非常紧密的参数分布

 

优势

•      高效率 - 得益于低导通和低开关损耗

•      600 V 和 1200 V 的全面产品组合可实现设计灵活性

•      器件可靠性高

 

应用领域

•      不间断电源（UPS）

•      电机控制和驱动

•      工业加热和焊接

•      太阳能系统解决方案

 



型号：

IKW50N60T

封装：

TO-247

制造商：

Infineon

产品种类：

IGBT晶体管

RoHS：

是

封装/箱体：

TO-247-3

安装风格：

Through Hole

配置：

Single

集电极—发射极电压VCEO：

600 V

集电极—射极饱和电压：

1.5 V

栅极/发射极电压：

20 V

在25 C的连续集电极电流：

80 A

Pd-功率耗散：

333 W

工作温度：

- 40 C + 175 C

系列：

TRENCHSTOP IGBT

集电极连续电流Ic：

80 A

高度：

20.9 mm

长度：

15.9 mm

宽度：

5.03 mm

栅极—射极漏泄电流：

100 nA

 


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