集成电路、场效应管
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集成电路、场效应管

IRLR8726TRPBF集成电路、场效应管

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2022-06-10 09:38:40
401
属性：
封装:TO-252；晶体管类型:场效应晶体管；批次:2123+；
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产品属性
封装
TO-252
晶体管类型
场效应晶体管
批次
2123+
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深圳瑞兆来科技有限公司

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产品简介

30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装
Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握技术。

详细介绍

型号：

IRLR8726TRPBF

封装：

TO-252

制造商：

Infineon

产品种类：

MOSFET

RoHS：

是

技术：

Si

安装风格：

SMD/SMT

通道数量：

1 Channel

晶体管极性：

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：

30 V

Id-连续漏极电流：

86 A

Rds On-漏源导通电阻：

8 mOhms

Vgs -栅极-源极电压：

20 V

Vgs th-栅源极阈值电压：

2.35 V

Qg-栅极电荷：

15 nC

工作温度：

- 55 C + 175 C

Pd-功率耗散：

75 W

配置：

Single

通道模式：

Enhancement

高度：

2.3 mm

长度：

6.5 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

HEXFET Power MOSFET

宽度：

6.22 mm

商标：

Infineon Technologies

正向跨导-最小值：

73 S

下降时间：

16 ns

产品类型：

MOSFET

上升时间：

49 ns

工厂包装数量：

2000

子类别：

MOSFETs

典型关闭延迟时间：

15 ns

典型接通延迟时间：

12 ns

零件号别名：

SP001573108

单位重量：

530 mg



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