集成电路、场效应管
集成电路、场效应管
集成电路、场效应管

IRFS7537TRLPBF集成电路、场效应管

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2022-06-09 16:16:03
460
属性：
封装:TO-263；晶体管类型:场效应晶体管；批次:2120+；
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产品属性
封装
TO-263
晶体管类型
场效应晶体管
批次
2120+
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深圳瑞兆来科技有限公司

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产品简介

60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装

详细介绍

优势

  • 优化分销合作伙伴的广泛可用性

  • 根据 JEDEC 标准进行产品验证

  • 针对10V栅极驱动电压进行了优化（称为正常电平）

  • 硅片针对低于<100KHz的应用进行了优化

  • 与上一代产品相比，体二极管更加柔软

  • 工业标准通表面安装功率封装

  • 高电流承载能力封装（高达195A,芯片面积可变化）

  • 可用于波焊

品牌：

infineon/英飞凌

型号：

IRFS7537TRLPBF

封装：

TO-263

类别：

分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商：

Infineon Technologies

系列：

HEXFET®, StrongIRFET™

FET 类型：

N 通道

漏源电压（Vdss）：

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：

173A（Tc）

驱动电压（Rds On，最小 Rds On）：

6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻：

3.3 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)：

3.7V @ 150µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)：

210 nC @ 10 V

Vgs：

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)：

7020 pF @ 25 V

功率耗散：

230W（Tc）

工作温度：

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：

表面贴装型

封装/外壳：

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

 


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