集成电路、场效应管
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集成电路、场效应管

IRFS7730TRLPBF集成电路、场效应管

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2022-06-09 15:25:58
321
属性：
封装:TO-263；晶体管类型:场效应晶体管；批次：:1916+；
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产品属性
封装
TO-263
晶体管类型
场效应晶体管
批次：
1916+
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深圳瑞兆来科技有限公司

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产品简介

75V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装

优势

优化分销合作伙伴的广泛可用性
根据 JEDEC 标准进行产品验证
针对10V栅极驱动电压进行了优化（称为正常电平）
硅片针对低于<100KHz的应用进行了优化
与上一代产品相比，体二极管更加柔软
工业标准通表面安装功率封装
高电流承载能力封装（高达195A,芯片面积可变化）
可用于波焊

详细介绍

型号：

IRFS7730TRLPBF

制造商：

Infineon

产品种类：

MOSFET

RoHS：

是

安装风格：

SMD/SMT

晶体管极性：

N-Channel

通道数量：

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压：

75 V

Id-连续漏极电流：

195 A

Rds On-漏源导通电阻：

2.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：

- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压：

3.7 V

Qg-栅极电荷：

271 nC

工作温度：

- 55 C + 175 C

Pd-功率耗散：

375 W

通道模式：

Enhancement

配置：

Single

下降时间：

115 ns

正向跨导 - 最小值：

249 S

高度：

2.3 mm

长度：

6.5 mm

上升时间：

120 ns

晶体管类型：

180 ns

典型关闭延迟时间：

21 ns

典型接通延迟时间：

6.22 mm

宽度：

IRFS7730TRLPBF   SP001557578




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