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TPS5430DDARDC/DC转换器
DC/DC是开关电源芯片。
开关电源，指利用电容、电感的储能的特性，通过可控开关(MOSFET等)进行高频开关的动作，将输入的电能储存在电容(感)里，当开关断开时，电能再释放给负载，提供能量。其输出的功率或电压的能力与占空比(由开关导通时间与整个开关的周期的比值)有关。开关电源可以用于升压和降压。
我们常用的DC-DC产品有两种。一种为电荷泵(Charge Pump)，一种为电感储能DC-DC 参考价￥36 -
IPA70R600P7S集成电路、场效应管
英飞凌反激式拓扑产品
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能，适用于手机充电器或笔记本电脑适配器等低功率 SMPS 市场。 参考价面议 -
IPA70R360P7S集成电路、场效应管
英飞凌反激式拓扑产品
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能，适用于手机充电器或笔记本电脑适配器等低功率 SMPS 市场。 参考价面议 -
IKW08T120IGBT - 绝缘栅双极晶体管
1200 V，8 A 硬开关 TRENCHSTOP™ 第三代 IGBT，与定续流二极管联合封装到 TO247 封装中，结合沟槽栅和场终止概念，显著改善器件静态及动态性能。IGBT 与软恢复发射极控制二极管相结合，进一步降低接通损耗。在开关和传导损耗之间做出优化，实现高效率。 参考价面议 -
IRFP260MPBF集成电路、场效应管
IR MOSFET系列功率MOSFET采用经验证的硅工艺，为设计师提供了广泛的设备组合，以支持各种应用，如直流电机、逆变器、开关电源、照明、负载开关以及电池供电应用。该设备有多种表面贴装和通孔封装，具有行业标准的封装外形，便于设计。 参考价面议 -
IKW15N120T2IGBT晶体管
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 参考价面议 -
IKW50N60T集成电路、微控制器
600 V, 50 A IGBT，采用反并联二极管，TO-247 封装
600 V、50 A 硬开关 TRENCHSTOP™ IGBT3，采用TO247封装并集成了全电流的续流二极管。IGBT芯片由于结合了沟槽栅和场终止概念，显著提高了其静态和动态性能。另外，沟槽栅/场终止IGBT和发射极控制二极管的结合进一步降低了其开通损耗。由于在开关损耗和导通损耗之间采取了佳折衷，因此可实现高效率。 参考价面议 -
SPW47N60C3集成电路、场效应管
600V CoolMOS™ C3 替代产品是 CoolMOS™ P7
600V CoolMOS™ C3 是英飞凌第三个 CoolMOS™ 系列产品，于 2001 年上市。C3 是产品组合中的主力军。 参考价面议 -
IPD60R280P7S集成电路、场效应管
FET类型：N 通道
漏源电压（Vdss）：600 V
漏极电流(Id)：12 A
漏源导通电阻(RDS On)：280 mΩ
耗散功率：53 W
配置类型：Single
工作温度范围：-40 °C 150 °C
安装类型：SMT 参考价面议 -
IRFR9024NTRPBF集成电路、场效应管
-55V 单个 P 通道 IR MOSFET, 采用 D-Pak 封装
IR MOSFET系列功率MOSFET采用经验证的硅工艺，为设计师提供了广泛的设备组合，以支持各种应用，如直流电机、逆变器、开关电源、照明、负载开关以及电池供电应用。该设备有多种表面贴装和通孔封装，具有行业标准的封装外形，便于设计。 参考价面议 -
IRLR8726TRLPBF集成电路、场效应管
Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握技术。 参考价面议 -
IRLR8726TRPBF集成电路、场效应管
30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装
Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握技术。 参考价面议