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产品特性 MYW10 等离子系统实现高柔性、高产能的Wafer表面处理制程
• 常压式氩气等离子系统
• 100mm宽等离子在线式批量处理，相比传统方式效率提升2-5倍，使用成本降低30%以上
• 中性等离子，对敏感电子元器件，不产生等离子轰击、静电、火花、电弧、粉尘、高温、水波纹、紫外线， 不会对产品带来任何伤害，更为安全友好
• 多种化学制程：O2制程去除有机污染物，H2制程去除金属氧化物，活化产品表面
• 不会对Wafer产生颗粒污染和表面粗糙度变化
• 可兼容Wafer和Tape frame的生产以及两者快速切换
• 满足Class10级无尘和SEMI标准
规格参数 基本参数 | MYW10 |
用电需求 | AC 380V, 13kW, 17A, 50/60Hz |
气压需求 | 90psi(6bar) |
外形尺寸 | 2000*2800*2200mm |
重量 | 2200kg |
认证标准 | SEMI S2/S6/S8 |
定位精度 | XY: ± 20 um@3 σ Z: ± 10um@3 σ |
XYZ轴重复精度 | XY: ± 10um@3 σ Z: ± 5um@3 σ |
速度 | 1000mm/s(XY) |
加速度 | 1.0g |
驱动系统 | AC servo |
工作平台参数 | |
上下料形式 | OHT+Load port+机械手 |
机械手承重 | 3KG |
适用Wafer晶圆尺寸 | 12寸 （300mm） |
软件操作系统 | Windows 10 |
X/Y行程 | 400mm/500mm |
Z轴行程 | 20mm |
通讯协议 | SMEMA |
工作范围 | |
等离子处理范围(W*D) | 300*300mm |
等离子处理后接触角 (WCA) | WCA<10° (Wafer) |
等离子处理方式 | O2制程去除有机污染物 H2制程去除金属氧化物 |
等离子系统设备需求 | |
RF功率 | 600W at 27.12MHz |
主要等離子气体 | Argon |
制程气体 | O2, N2, or H2 (Other upon testing) |
气源压力范围 | 40~100psi (0.3~0.7MPa) |
