产品简介：

　　PB1000是美国NANOVEA公司的一款微纳米力学综合测试系统，该系统聚纳米压痕仪、纳米划痕仪、微米压痕仪、微米压痕仪四个功能模块于一身，这款仪器采用模块化设计，可在一款仪器下实现纳米与微米/大载荷三个尺度下的压痕，划痕与摩擦磨损测试，进而可得到硬度、弹性模量、蠕变信息、弹塑性、断裂韧度、应力-应变曲线、膜基结合力、划痕硬度、摩擦系数、磨损率等微观力学数据。

　　产品特性：

　　-  模块化设计：可在一台仪器集成纳米压痕仪、纳米划痕仪、微米压痕仪、微米划痕仪4款仪器。

　　-  压痕测试符合国际ISO14577与美国ASTM E2546标准，划痕测试符合ISO 20502、1518、ASTM、D7027、D1624、D7187、C171标准。

　　- 载荷加载系统：采用闭环载荷加载垂直加载，准确性远远优于传统的开环载荷加载技术及悬臂加载技术，可保证施加载荷的精准性。

　　- 载荷驱动方式：高精度压电陶瓷驱动，精度远远优于电磁力驱动。

　　- NANOVEA技术（号：EP0663068 A1 1995）高精度电容式传感器来能够保证系统够实现高精度的测量可保证压入深度与划入深度实时测量。

　　- 采用encoder高精度光栅尺样品台，定位精度可达250nm以内。

　　-  的热飘逸控制技术：纳米压痕仪的热飘逸为<0.05nm/s，同时通过专业的硬度测试软件，利用热飘逸补偿技术可将热飘逸总量控制在1nm以内；另外，仪器采用立式结构，电子单元在左右两边，热量往上漂不会对电子单元产生影响，从而得到非常小的热漂移。

　　- 划痕具有全景成像模式

　　产品简介：

　　CB500是美国NANOVEA公司推出的一款低价格微纳米力学综合测试系统，该系统聚纳米压痕仪、纳米划痕仪、微米压痕仪、微米压痕仪四个功能模块于一身，这款仪器采用模块化设计，可在一款仪器下实现纳米与微米/大载荷三个尺度下的压痕，划痕与摩擦磨损测试，进而可得到硬度、弹性模量、蠕变信息、弹塑性、断裂韧度、应力-应变曲线、膜基结合力、划痕硬度、摩擦系数、磨损率等微观力学数据。

　　产品特性：

　　-  模块化设计：可在一台仪器集成纳米压痕仪、纳米划痕仪、微米压痕仪、微米划痕仪4款仪器。

　　-  压痕测试符合国际ISO14577与美国ASTM E2546标准，划痕测试符合ISO 20502、1518、ASTM、D7027、D1624、D7187、C171标准。

　　- 载荷加载系统：采用闭环载荷加载垂直加载，准确性远远优于传统的开环载荷加载技术及悬臂加载技术，可保证施加载荷的精准性。

　　- 载荷驱动方式：高精度压电陶瓷驱动，精度远远优于电磁力驱动。

　　- NANOVEA技术（号：EP0663068 A1 1995）高精度电容式传感器来能够保证系统够实现高精度的测量可保证压入深度与划入深度实时测量。

　　- 采用encoder高精度光栅尺样品台，定位精度可达250nm以内。

　　-  的热飘逸控制技术：纳米压痕仪的热飘逸为<0.05nm/s，同时通过专业的硬度测试软件，利用热飘逸补偿技术可将热飘逸总量控制在1nm以内；另外，仪器采用立式结构，电子单元在左右两边，热量往上漂不会对电子单元产生影响，从而得到非常小的热漂移。

　　- 划痕具有全景成像模式

　　- NANOVEA公司金刚石面积函数校准技术（号：No. 3076153）只需要压一次就可以对针尖面积函数进行校准实现精确测量！！！

　　主要技术参数：

　　(1）纳米压痕仪：

　　- 静态加载模式加载载荷：80mN /400mN/1800mN/4800mN

　　- 动态加载模式DMA:0.1-100Hz

　　- 载荷分辨率：3nN

　　- 可实现的最小载荷：0.1mN

　　- 加载速率：0.04-12000mN/min

　　- 压入深度（电容传感器）： 250μm/1mm

　　- 位移分辨率：0.0003nm

　　- 快速压痕功能：做100个mapping点只需5分钟

　　- 热飘逸<0.05nm/s(室温条件下)

　　(2）纳米划痕仪：

　　- 划痕正向力载荷：80mN /400mN/1800mN/4800mN

　　- 载荷分辨率：3nN

　　- 划痕正向力最小载荷：0.1mN

　　- 划痕深度：250µm/1mm

　　- 划痕长度：50mm

　　- 划痕速度：0.05-600mm/min

　　- 位移分辨率：0.0003nm

　　- 深度：250μm/1mm

　　- 深度分辨率：0.0003nm

　　-  摩擦力：400mN/1800mN

　　- 摩擦力分辨率：7μN

　　(3）微米压痕仪：

　　- 加载载荷：40N/200N

　　- 载荷分辨率：2.4μN /12μN

　　- 载荷噪声水平（RMS）：0.1mN/0.5mN

　　- 可实现的最小载荷：2mN/10mN

　　- 加载速率：0.01-500N/min / 0.05-1000N/min

　　- 快速压痕功能：做100个mapping点只需12分

　　- 深度范围（电容式传感器）：1mm

　　-  深度分辨率：0.01nm

　　- 深度分噪声水平（RMS）: 0.5nm

　　(4）微米划痕仪：

　　- 划痕正向力载荷：40N/200 N

　　- 划痕正向力最小载荷：2mN/10mN

　　- 划痕深度：1mm

　　- 深度分辨率：0.01nm

　　- 深度分噪声水平（RMS）: 0.5nm

　　- 划痕长度：50mm

　　- 划痕速度：0.1-1200mm/min

　　- 摩擦力：20N/200N

　　- 摩擦力分辨率：1.3mN/13mN

　　(5）精密定位平台：

　　- XY方向移动范围：100mm*50mm

　　- Z方向允许的样品空间：150mm

　　- 工作台XY方向定位分辨率：10nm

　　- 工作台XY方向定位精度：250nm

　　- Z方向可自动移动移动范围：50mm

　　(6）光学金相显微镜成像系统：

　　- 物镜的放大倍率分别为：5X，10X，20X，50X，1000X

　　- 总的放大倍率分别为：400X，800X，1600X，4000X，8000X，

　　(7）原子力显微镜AFM的技术参数（高分辨率）：

　　- XYZ方向扫描范围：100µm *100µm *12µm

　　- XY方向移动分辨率：0.1nm

　　- Z方向的测量分辨率：0.02nm

　　- NANOVEA公司金刚石面积函数校准技术（号：No. 3076153）只需要压一次就可以对针尖面积函数进行校准实现精确测量！！！

　　主要技术参数：

　　（1）纳米压痕仪：

　　- 静态加载模式加载载荷：80mN /400mN/1800mN/4800mN

　　- 动态加载模式DMA:0.1-100Hz

　　- 载荷分辨率：3nN

　　- 可实现的最小载荷：0.1mN

　　- 加载速率：0.04-12000mN/min

　　- 压入深度（电容传感器）： 250μm/1mm

　　- 位移分辨率：0.0003nm

　　- 快速压痕功能：做100个mapping点只需5分钟

　　- 热飘逸<0.05nm/s(室温条件下)

　　（2）纳米划痕仪：

　　- 划痕正向力载荷：80mN /400mN/1800mN/4800mN

　　- 载荷分辨率：3nN

　　- 划痕正向力最小载荷：0.1mN

　　- 划痕深度：250µm/1mm

　　- 划痕长度：50mm

　　- 划痕速度：0.05-600mm/min

　　- 位移分辨率：0.0003nm

　　- 深度：250μm/1mm

　　- 深度分辨率：0.0003nm

　　-  摩擦力：400mN/1800mN

　　- 摩擦力分辨率：7μN

　　（3）微米压痕仪：

　　- 加载载荷：40N/200N

　　- 载荷分辨率：2.4μN /12μN

　　- 载荷噪声水平（RMS）：0.1mN/0.5mN

　　- 可实现的最小载荷：2mN/10mN

　　- 加载速率：0.01-500N/min / 0.05-1000N/min

　　- 快速压痕功能：做100个mapping点只需12分

　　- 深度范围（电容式传感器）：1mm

　　-  深度分辨率：0.01nm

　　- 深度分噪声水平（RMS）: 0.5nm

　　4）微米划痕仪：

　　- 划痕正向力载荷：40N/200 N

　　- 划痕正向力最小载荷：2mN/10mN

　　- 划痕深度：1mm

　　- 深度分辨率：0.01nm

　　- 深度分噪声水平（RMS）: 0.5nm

　　- 划痕长度：50mm

　　- 划痕速度：0.1-1200mm/min

　　- 摩擦力：20N/200N

　　- 摩擦力分辨率：1.3mN/13mN

　　5）精密定位平台：

　　- XY方向移动范围：150mm*150mm

　　- Z方向允许的样品空间：150mm

　　- 工作台XY方向定位分辨率：10nm

　　- 工作台XY方向定位精度：250nm

　　- Z方向可自动移动移动范围：50mm

　　6）光学金相显微镜成像系统：

　　- 物镜的放大倍率分别为：5X，10X，20X，50X，1000X

　　- 总的放大倍率分别为：400X，800X，1600X，4000X，8000X，

　　7）原子力显微镜AFM的技术参数（高分辨率）：

　　- XYZ方向扫描范围：100µm *100µm *12µm

　　- XY方向移动分辨率：0.1nm

　　- Z方向的测量分辨率：0.02nm

　　欢迎！