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- Automated Industrial AFM for High-Resolution 3D Metrology
- Park Systems推出革命性的XE-3DM全自动原子力显微镜系统,专为垂悬轮廓、高分辨率侧壁成像和临界角的测量而设计。借助的XY轴和Z轴独立扫描系统和倾斜式Z轴扫描器,XE-3DM成功克服精确侧壁分析中的法向和喇叭形头所带来的挑战。在True Non-Contact™模式下,XE-3DM可实现带有高长宽比的柔软光刻胶的无损测量。
- Accuracy Like Never Before
- 随着半导体越变越小,设计如今需要做到纳米级,但是传统的测量工具无法满足纳米级的设计和制造所要求的精确度。面对这一行业测量所带来的挑战,Park Systems取得了众多技术突破,如串扰消除(XE),其可以实现无伪影和无损成像;全新的3D原子力显微镜,让侧壁和侧凹特征的高分辨率成像成为可能。
- Throughput Like Never Before
- 受限于低通量,纳米级设计无法用于生产质量控制中,但原子力显微镜让这一切成为可能。随着Park Systems发布革命性的高通量解决方案,原子力显微镜也得以进入自动化线上制造领域。这其中包括创新的磁性探针更换功能,成功率高达99%,高于传统的真空技术。此外,流程和通量优化需要每位客户的积极配合,提供完整的原始数据。
- Cost-Effectiveness Like Never Before
- 纳米测量的精确性和高通量需要搭配高成本效益的解决方案,才能够从研究领域扩展到实际生产应用中。面对这一成本挑战,Park Systems带来了工业级的原子力显微镜解决方案,让自动化测量更快、更高效,让探针更耐久!我们放弃了慢速又昂贵的扫描电子显微镜,转而采用高效、自动化且价格实惠的3D原子力显微镜,进一步降低线上工业制造的测量成本。现如今,制造商需要3D信息来表现沟槽轮廓和侧壁变形异特征,从而准确找到新设计中的缺陷。模块化原子力显微镜平台实现了快速的软硬件更换,使得升级更为划算,从而不断优化复杂并且苛刻的生产质量控制测量。此外,我们的原子力显微镜探针使用寿命延长至少2倍,进一步减少购置成本。传统的原子力显微镜采用轻敲式扫描,这让探针更易磨损,而我们的True Non-Contact™模式能够有效地保护探针,延长其使用寿命。
n应用
- High Resolution Access to Undercut and Sidewall
- CD Measurements of Undercut & Overhang
- XE-3DM的倾斜式Z轴扫描器设计让探针能够扫描到光刻胶的侧壁和侧凹结构。
- 的XY轴和Z轴解耦扫描系统和倾斜式Z轴扫描器
- Z轴扫描器可在 -19到+19度和-38到+38度之间随意摆动
- 法向高长宽比的探针带来高分辨率成像
- XY轴扫描范围可达100 μm x 100 μm
- 高强度Z轴扫描器带来25 μm的Z轴扫描范围
- Complete 3D Metrology of Sidewall
- High-Resolution Sidewall Roughness
- 借助超锋利的探针,XE-3DM的倾斜式Z轴扫描器可接近侧壁,带来高分辨率的侧壁粗糙度细节。
- 侧壁粗糙度测量
- 精确的侧壁角度测量
- 垂直侧壁的临界尺寸测量
- Non-destructive CD and Sidewall Measurements by True Non-Contact™ Mode
- CD Measurements of Photoresist Trench
- 的True Non-Contact模式能够将线上无损测量小至45 nm的细节。
- 业内最小的细节线上测量
- 柔软光刻胶无损测量
- 探针磨损更少,让高质量和高分辨率成像效果更加持久
- 无需轻敲式成像中的参数依赖结果
n选配
- High-Throughput Inline Automation
- Automatic Tip Exchange (ATX)
- 借助自动探针更换功能,自动测量程序能够做到无缝衔接。该系统会参考图形测量数据,自动校正悬臂的位置和优化测量设定。创新的磁性探针更换功能,成功率高达99%,远远高于传统的真空技术。
- Automatic Wafer Handler (EFEM or FOUP)
- 您可以在XE-3DM中加装自动晶片装卸器(EFEM或FOUP或其他)。高精度无损晶片装卸机械臂能够保证XE-3DM用户享受到快速且稳定的自动化晶片测量服务。
- Ionization System
- XE-3DM可搭载离子化系统,能够有效消除样品的静电电荷。并且系统随时可生产位置正离子和负离子之间的理想平衡,从而可以稳定地离子化带电物体,且不会污染周边区域。它也可以消除样品处理过程中意外生成的静电电荷。