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DH-GCVD 系统兼容真空及常压两种主流的生长模式，可采用计算机自动控制，工作在常压气氛或真空条件，通过控制，可以在 10 -3 Torr—760Torr 之间的任意气压下进行石墨烯的生长。既可以生长出六边形的石墨烯单晶，也可以生长出花瓣状的石墨烯单晶。整个石墨烯生长过程的重要参数由计算机进行精确控制，包括温度、气体流量等。控制软件内置多种生长优化参数，用户仅将衬底放入样品腔，即可开始生长。将为科研人员提供大量的研究机会，以及为实现各种科学想法创造了条件。
主要用途和适用范围
系统主要为高等院校，科研院所等单位的实验室提供专业的石墨烯生长设备。是一套完备的石墨烯制备系统，包括硬件和软件部分。
技术参数
