半导体功率器件I-V特性曲线分析仪器
半导体功率器件I-V特性曲线分析仪器

STI5000C半导体功率器件I-V特性曲线分析仪器

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2019-12-04 15:50:14
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上海九礼川贸易有限公司

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产品简介

可自动生成功率器件的I-V曲线(标准特性曲线)。在失效分析中有广泛的应用。新称呼为 STI5000C曲线追踪仪。该产品性曲线目前已经在众多五的研发实验室,来料检验中心,以及各大科研机构,大学的实验室投入使用,以其的准确迅速的反应力而闻名。目前使用的16bit的数模转换,分辨率更加的提升,RDSON的分辨率为微欧级。新称呼为 STI5000C曲线追踪仪。该产品性曲线目前已经在众多五企

详细介绍

STI-CURVE TRACE软件配合ST5000测试主机使用,可自动生成功率器件的I-V曲线(标准特性曲线)。在失效分析中有广泛的应用。新称呼为 STI5000C曲线追踪仪。该产品性曲线目前已经在众多五的研发实验室,来料检验中心,以及各大科研机构,大学的实验室投入使用,以其的准确迅速的反应力而闻名。目前使用的16bit的数模转换,分辨率更加的提升,RDSON的分辨率为微欧级。

标准特性曲线:
Mosfet (N-Channel & P-Channel)
ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS
Transistor (NPN & PNP)
HFE vs. IC
BVCE(O,S,R,V) vs. IC
BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC
VCE(SAT) vs. IC
VBE(SAT) vs. IC
VBE(ON) vs. IC (use VBE test)
VCE(SAT) vs. IB at a range of IC
VF vs. IF

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