瑞森 品牌
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东莞市所在地
RS10N65F
产品描述
RS10N65F是瑞森采用平面MOS技术制造的N-沟道场效应晶体管，通过优化芯片结构，使该产品拥有较强的抗冲击能力，同时具有较低的导通内阻和的栅极电荷，能较大地降低产品EMI和开关损耗。广泛应用于开关电源，电源适配器、LED驱动等领域。
VDS =650V，ID =,10A
RDS(ON)<0.85mΩ@ VGS =10V
抗冲击能力强
较低的导通电阻
通过UIS测试
产品优势：
新型的横向变掺杂技术，专有的功率MOS结构，高温特性优良。
产品特性：
超小内阻，结电容适中，散热性能好，高温漏电小，高温电压跌落小。
产品应用：
LED驱动，小家电，适配器，工业开关电源等。
