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RSM1701K0W
产品描述
RSM1701K0W是瑞森采用碳化硅MOS技术制造的N-沟道SiC MOSFET，该产品拥有较强的抗冲击能力，优良的温度特性和开关特性。能使应用效率得到提升，及节省空间、减轻重量及减少零件数量，并增强系统可靠性。可用于储能系统、电动汽车快速充电、电源管理、 和太阳能系统领域。
VDS =1700V，ID =5A
RDS(ON)<1300mΩ@ VGS =20V
抗冲击能力强
良好的温度特性
良好的开关特性
产品优势：
基于国家军标生产线研制生产，工艺稳定，质量可靠。
产品特性：
高频率、高功率、高效率、低导通电阻。
产品应用：
太阳能逆变器，高压DC/DC变换器，电机驱动，UPS电源，开关电源，充电桩等。
