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NLIR D2250 10GHz 超快窄带单波长红外探测器 2.2-5.0um 34ps
面议法兰式InGaAS铟镓砷探测器模块 (900-1700nm 光敏面直径 100um)
面议InGaAs光电平衡探测器 800-1700nm 带宽DC-350M
面议硅Si高灵敏度雪崩光电二管APD模块 光谱响应200-1000nm
面议铟镓砷PIN光电二管 感光面积φ3mm 封装TO-5
面议铟镓砷PIN光电二管 感光面积φ0.3mm 封装TO-18
面议铟镓砷PIN光电二管 感光面积φ2mm 封装TO-5
面议InGaAs单元探测器 光谱相应800-1700nm 带宽AC-800M
面议InGaAs单元探测器 光谱相应800~1700nm 带宽AC-1.6G
面议InGaAs单元探测器 带宽DC-350M 光谱相应800-1700nm
面议InGaAs单元探测器 DC-200M 光谱相应800~1700nm
面议InGaAs盖革模式雪崩光电二管 非制冷型 0.9-1.7μm
面议光电倍增管有多种类型,在形状、光谱响应范围、结构、有效面积等方面都有不同的特点。我们完整的光电倍增管系列,帮助用户做出适合其应用的正确选择。
产品特点
High Speed Gating by Low Supply Voltage (+10 V)
Gate Rise Time:1ns
Gate Width:5纳
Fast Rise Time:180 ps
窄T.T.S:90ps, (渡越时间扩展(T.T.S.)是单个脉冲之间渡越时间的波动,为FWHM(大值一半时的全宽),其中具有单一光电子态的入射光。)
高开关比:108 @ 500 nm
低开关噪声
低暗噪声
可提供多种光电阴
产品应用:
环境监测
卫星激光测距
时间分辨荧光衰减分析
类型 | MCP-PMT |
倍增管尺寸 | Dia.55 mm |
光阴形状 | Round |
光阴尺寸 | Dia.10 mm |
短波限 | 160 nm |
长波限 | 850 nm |
峰值波长 | 430 nm |
光谱响应曲线代码 | 500S |
光阴材料 | Multialkali |
玻壳材料 | Quartz |
倍增结构 | MCP |
倍增数 | 2 |
阳到阴电压 | -3400 V |
平均阳电流 | 0.0001 mA |
阳到阴供给电压 | -3000 V |
[阴] 光照灵敏度(小值) | 100 μA/lm |
[阴] 光照灵敏度(典型值) | 150 μA/lm |
[阴] 辐照灵敏度(典型值) | 52 mA/W |
[阳] 光照灵敏度(典型值) | 30 A/lm |
[阳] 增益(典型值) | 30 A/lm |
[阳] 暗电流(30分钟后,大值) | 10 nA |
[时间响应] 上升时间(典型值) | 0.18 ns |
[时间响应] 渡越时间(典型值) | 1.0 ns |
[时间响应] 渡越时间分散(典型值) | 0.09 ns |
R5916U-50将以“常闭”模式配置提供。仅当栅输入脉冲(+10V至+50 V)时,它才会选通为“开启”
接地或保持打开状态时,应用并选通“关闭”。
然而,我们也可以在“常开”模式配置下提供该设备,该配置可以在相同的操作条件下操作
提供反向性能的上述条件。
典型性能数据
更新时间:2023/5/24 17:35:17