FF200R12KS4

技术参数：

• Ic(A),Tc=80℃            200

• Vce(sat),Max(V)        3.7

• Ton(us)            0.11

• Toff(us)           0.55

• Rth(j-c),K/W          0.09

• Pc(W)             1400

• 封装              62mm

• 电路结构            半桥

FF200R12KS4是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加层被称为电场终止（fieldstop），这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小，加上 IGBT3 具有更高电流密度，它还可扩展系列产品的功率范围。硅片结温可高达175℃，运行温度可达150℃。低损耗，FF200R12KS4 IGBT模块具有低EMI噪声，高可靠性，高运行结温等优点。主要应用在100KW光伏逆变器，电机驱动，电源等领域。

性能概要：

•高短路能力

•自我限制短路电流

•低开关损耗

•耐用性

•V CESAT具有正温度系数

•CTI>400

优点：

• 灵活性

• 电气性能佳

• 可靠性高

目标应用：

• 电机控制和驱动

• 太阳能系统解决方案

对于完整的太阳能电力解决方案的主导产品

• 不间断电源（UPS）

• 商业，农业和工程车辆（CAV）

• 感应加热

• 工业焊接