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提出选择和安装过程中应该注意的方面,对IGBT的特性注意事项进行了研讨。1 IGBT模块简介

      相信大家都知道IGBT是绝缘栅双极型晶体管缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为

      MOSFET ,输出极为PNP晶体管,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几+kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、**率应用中占据了主导地位。它融和了这两种器件的优点,

      IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V ,则MOS截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。IGBT与MOSFET- 样也是电压控制型器件，在它的栅极-发射极间施加十几V的直流电压,只有在u*的漏电流流过,基本上不消耗功率。图1 IGBT的等效电路

      2保管时的注意事项

      一般保存IGBT模块的场所,应保持常温常湿状态,不应偏离太大。常温的规定为5~ 35*C ,常湿的规定在45 ~75%左右。在冬天特别干燥的地区,需用加湿机加湿;

      尽虽远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;

      在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象,因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方;保管时,须注意不要在IGBT模块上堆放重物; CEDN论坛装IGBT模块的容器,应选用不带静电的容器。3使用中的注意事项

      由于IGBT模块为MOSFET结构, IGBT的栅极通过- -层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20 ~ 30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之-。因此使用中要注意以下几点:

      在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸;

      在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块;尽量在底板良好接地的情况下操作。

      此外,在栅极-发射极间开路时,若在集电极与发射极间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于集电极有属电流流过,栅极电位升高,集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压,则有可能使IGBT发热及至损坏。

      在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态) ,若在主回路上加上电压,则IGBT就会损坏,为防止此类故障,应在栅极与发射极之间串接-只10K2左右的电阻。

      在安装或更换IGBT模块时 .应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻, *好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅辑。一般散热片底部安装有散热风扇， 当散热风扇损坏中散热片散热不佳时将导致IGBT模块发热 ，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查,一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器,当温度过高时将报警或停止IGBT模块工4 IGBT模块的选择

      IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时,所产生的额定损耗亦变大。同时,开关损耗增大,使原件发热加口剧,因此,选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大,发热加剧,选用时应该降等使用。