订制环形硅探测器
订制环形探测器参数： 光谱范围300nm-1100nm 峰值响应600nm-700nm (1) 响应度 K。 。在λ=630nm、U=-1.5v、负载电阻
LR= 1KΩ 时，响应度
K 大于 0.4mA/mW,且响应度线性好， 当负偏压超过 1.5V 后， 响
应度基本保持不变.
(2) 饱和电流。各探测单元的饱和电流需要求达到 mA 级，功
率要求达到 mW 级。
(3) 最小探测功率。最小探测功率要求小于 1nW。
(4) 光谱响应范围。 。峰值响应波长在 600∼ 700nm 之间。
(5) 均匀性 。各探测单元的均匀性小于± 5%。
(6) 反向击穿电压 。各探测单元的反向击穿电压大于>5V。
