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SM6T6V8CA ST代理商 ST 意法半导体
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STM32F103R8T6 ST代理商 意法半导体
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面议2SC3356-T1B
数据列表NE85633, 2SC3356标准包装 3,000包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族RF 晶体管（BJT）系列-其它名称2SC3356-T1B-ATR
规格
晶体管类型NPN电压 - 集射极击穿（zui大值）12V频率 - 跃迁7GHz噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）1.1dB @ 1GHz增益13dB功率 - zui大值200mW不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（zui小值）50 @ 20mA，10V电流 - 集电极（Ic）（zui大值）100mA安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装SOT-23
2SC3356-T1B
数据列表NE85633, 2SC3356标准包装 3,000包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族RF 晶体管（BJT）系列-其它名称2SC3356-T1B-ATR
规格
晶体管类型NPN电压 - 集射极击穿（zui大值）12V频率 - 跃迁7GHz噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）1.1dB @ 1GHz增益13dB功率 - zui大值200mW不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（zui小值）50 @ 20mA，10V电流 - 集电极（Ic）（zui大值）100mA安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装SOT-23
2SC3356-T1B
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规格
晶体管类型NPN电压 - 集射极击穿（zui大值）12V频率 - 跃迁7GHz噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）1.1dB @ 1GHz增益13dB功率 - zui大值200mW不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（zui小值）50 @ 20mA，10V电流 - 集电极（Ic）（zui大值）100mA安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装SOT-23
