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深圳市所在地
FZ800R12KL4C:
FZ800R12KL4C品牌:英飞凌(Infineon)、优派克(eupec);
产地:源产于*;
批号:2015/2016预订
价格:RMB面议;
数量:258;
深圳市迈瑞施电子技术有限公司O755一328II887 ,Q 十119859,8287
封装形式:IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块;
> 650V
产品型号 参数说明 封装形式
IDW10G65C5 10A , 650V , thinQ 5G TO-247
IDW12G65C5 12A , 650V , thinQ 5G TO-247
IDW16G65C5 16A , 650V , thinQ 5G TO-247
IDW20G65C5 20A , 650V , thinQ 5G TO-247
IDW30G65C5 30A , 650V , thinQ 5G TO-247
IDW40G65C5 40A , 650V , thinQ 5G TO-247
> 1200V
产品型号 参数说明 封装形式
IDH02SG120 2A , 1200V , thinQ 2G TO-220-2
IDH05S120 5A , 1200V , thinQ 2G TO-220-2
IDH08S120 7.5A , 1200V , thinQ 2G TO-220-2
IDH10S120 10A , 1200V , thinQ 2G TO-220-2
IDW10S120 10A , 1200V , thinQ 2G TO-247
IDH15S120 15A , 1200V , thinQ 2G TO-220-2
IDW15S120 15A , 1200V , thinQ 2G TO-247
IDW20S120 20A , 1200V , thinQ 2G TO-247
IDW30S120 30A , 1200V , thinQ 2G TO-247
公司拥有大量正规渠道的现货库存,建立起完善的国外采购流程,可接受客户国外代购业务。
1,功率器件:
IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块;
2,驱动器件:
CONCEPT IGBT驱动模块、光耦、变频器主控板、驱动板,
操作面板及延长电缆等配件以及富士制动单元;
3,快速熔断器:
日本富士(FUJI)、日之出(HINODE)、法国罗兰(FERRAZ)、英国GOULD、美国BUSSMANN;
4,工业大容量电容:
日本日立、黑金刚NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon;红宝石,
epcos艾普科斯、电解电容以及美国CDE无感电容;
5,传感器:瑞士LEM电流传感器,电压传感器,霍尔传感器;
中文资料,技术参数, PDF datasheet,图片。