互补金属氧化物半导体FET技术或引发电子产品革命
- 来源:威锋网
- 2016/2/24 9:23:52
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这项技术被应用在电子产品当中的话,将使功率集成电路能够采用更小的尺寸,并以更低的成本实现更的电力管理,也能够在更为恶劣的环境下工作。在此之前,由于在制造P沟道晶体管和N沟道晶体管的挑战,氮化镓CMOS集成电路曾被认为是困难或不可能的。而现在HRL已经通过自己的努力改变了这一切。
这项技术必将对电子产品带来巨大的影响,甚至是具有革命性意义的影响。在未来,我们所使用的电子产品或许将因此具备更的性能和更广的使用范围。
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