台积电3nm工艺进度超前EUV工艺获突破：直奔1nm
- 来源：快科技
- 2021/2/20 16:47:00
- 24543
在ISSCC 2021固态电路会议上，台积电联席CEO刘德音公布了该公司的新工艺进展情况，指出3nm工艺超过预期，进度将会提前。不过刘德音没有公布3nm工艺到底如何超前的，按照他们公布的信息，3nm工艺是今年下半年试产，2022年正式量产。
与三星在3nm节点激进选择GAA环绕栅极晶体管工艺不同，台积电的第一代3nm工艺比较保守，依然使用FinFET晶体管。
与5nm工艺相比，台积电3nm工艺的晶体管密度提升70%，速度提升11%，或者功耗降低27%。
不论是5nm还是3nm工艺，甚至未来的2nm工艺，台积电表示EUV光刻机的重要性越来越高，但是产能依然是EUV光刻的难题，而且能耗也很高。
刘德音提到，台积电已经EUV光源技术获得突破，功率可达350W，不仅能支持5nm工艺，甚至未来可以用于1nm工艺。
按照台积电提出的路线图，他们认为半导体工艺也会继续遵守摩尔定律，2年升级一代新工艺，而10年则会有一次大的技术升级。
版权与免责声明：凡本网注明“来源：智能制造网”的所有作品，均为浙江兴旺宝明通网络有限公司-智能制造网合法拥有版权或有权使用的作品，未经本网授权不
展开全部
热门评论