SMU源表搭建半导体霍尔效应测试实验平台
- 来源：武汉普赛斯仪表有限公司
- 2024/5/29 14:19:05
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本科生微电子器件及材料实验目的
通过实验动手操作，加深对半导体物理理论知识的理解，掌握半导体材料和不同器件性能的表征方法及基本实验技能，培养分析问题和解决问题的能力。
本科生微电子器件及材料实验目录
实验一：金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性IV特性测试实验
实验二：四探针法测量半导体电阻率测试实验
实验三： MOS电容的CV特性测试实验
实验四：半导体霍尔效应测试实验实验
实验五：激光二极管LD的LIV特性测试实验
实验六：太阳能电池的特性表征实验
本科生微电子器件及材料实验测试平台优势
满足本科生基础教学实验中微电子器件和材料测试需求
测试设备简单易用，专业全威，方便学生动手操作
核心设备测试精度高，满足新材料和新器件的指标要求
测试软件功能齐全，平台化设计，有专人维护支持，与专业测试软件使用相同架构
以基础平台为起点，可逐步升级，满足日益增加的实验室测试需求
本科生微电子器件及材料实验测试平台基本功能
实验名称 | 测试参数 |
金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性的IV特性测试实验 | l 输出特性曲线 l 转移特性曲线 l 跨导gm l 击穿电压BVDS |
四探针法测量半导体电阻率测试实验
| l 四探针法电阻率ρ l 材料阻值R |
MOS电容的CV特性测试实验（低频 + 高频） | l CV特性曲线 |
半导体霍尔效应测试实验 | l 霍尔电压VH l 霍尔电阻率ρ l 霍尔系数RH l 载流子浓度n l 霍尔迁移率u |
激光二极管LD的LIV特性测试
| l LIV特性曲线 l 阈值电流Ith l 阈值电流对应电压值Vth l 拐点Kink l 线性电阻Rs |
太阳能电池的特性表征
| l 开路电压Voc l 短路电流Isc l 功率最大值Pmax l 填充因子FF l 转换效率η l 串联电阻Rs l 旁路电阻Rsh |
本科生微电子器件及材料实验测试平台核心
测试平台的核心– 源测量单元（源表， SMU）
普赛斯国产源表四表合一 四象限模式
四线/开尔文测试功能
小信号测试
满足先进器件和材料测试需求
交流测试使用LCR表
探针台：4寸或6寸手动探针台
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