CREE推出了业界900V MOSFET
世强代理的该900VSiC具有更宽的终端系统功率范围，能满足不断演变的新型应用市场中的设计挑战，更高直流母线电压也同样适用。在25°C条件下，C3M0065090J拥有目前市面上zui低的65mΩ的额定导通电阻;当温度高至150°C时，也可保证导通电阻只有90mΩ，这能有效降低功率损耗，并缩减热管理系统的尺寸。从而进一步减少电源设计者们的创新限制，有助于实现尺寸更小、速度更快、温度更低、效率更高的电源方案。
图：CREE业界900V MOSEFET C3M0065090J
C3M0065090J不仅提高了系统效率，还增加了功率密度以及开关频率，能够提供优化的+15v/5v门极驱动和+/-36v连续漏电流。配备131数控C3M0065090D通孔模型和134数控C3M0065090J表面装配模型的快速二极管，所以反向恢复时间短。此外，该产品采用业界标准TO247-3/TO220-3封装，还能提供开尔文连接的低阻抗D2Pak-7L表面贴封装，从而减小了栅极振荡。欢迎世强40088-73266咨询订购。
C3M0065090J的特点与优势：
•采用SiCMOSFETC3MTM场效应晶体管技术，n沟道增强型
•高阻断电压，较低的导通电阻65mΩ(25°C)，90mΩ(150°C)
•较低的高速开关功放
•新的低阻抗包和驱动源
•具用快速内在二极管，反向恢复电流较低(Qrr)
•工作温度：-55°C至+150°C
•封装：标准TO247-3/TO220-3，及低阻抗D2Pak-7L表面贴封装
•无卤,通过无铅认证
C3M0065090J的应用：
•可再生能源
•电动汽车电池充电器
•高压直流/直流转换器
•开关模式电源
•太阳能逆变器
版权与免责声明：凡本网注明“来源：智能制造网”的所有作品，均为浙江兴旺宝明通网络有限公司-智能制造网合法拥有版
展开全部