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NJK-5002C霍尔传感器使用注意事项,说明：

摘要：霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，体表现为，在半导体薄片两端通以控制电流I，并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场，则在垂直于电流和磁场的方向上，将产生电势差为UH的霍尔电压 这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。

霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，体表现为，在半导体薄片两端通以控制电流I，并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场，则在垂直于电流和磁场的方向上，将产生电势差为UH的霍尔电压 这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。
后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
NJK-5002C霍尔传感器使用注意事项
（1）为了较好的动态特性和灵敏度，必须注意原边线圈和副边线圈的耦合，要耦合得好，用单根导线且导线*填满霍尔传感器模块孔径。　　
（2）使用中当大的直流电流流过传感器原边线圈，且次级电路没有接通电源|稳压器或副边开路，则其磁路被磁化，而产生剩磁，影响测量精度（故使用时要先接通电源和测量端M），发生这种情况时，要行退磁处理。其方法是次边电路不加电源，而在原边线圈中通一同样等级大小的交流电流并逐渐减小其值。　　
（3）在大多数场合，霍尔传感器都有很强的抗外磁场干扰能力，一般在距离模块5-10cm之间存在一个两倍于工作电流Ip的电流所产生的磁场干扰是可以忽略的，但当有更强的磁场干扰时，要采取适当的措施来解决。通常方法有：　　
① 调整模块方向，使外磁场对模块的影响zui小； 　　
② 在模块上加罩一个抗磁场的金属屏蔽罩； 　　
③ 选用带双霍尔元件或多霍尔元件的模块电源维修； 　　
（4）测量的zuijia精度是在额定值下的，当被测电流远于额定值时，要获得zuijia精度，原边可使用多匝，即：IpNp=额定安匝数。另外，原边馈线温度不应超过80℃。