256Gb、48层堆叠闪存
东芝BiCSFLASHTM采用目前世界zui的48层堆叠工艺，超越主流2DNAND闪存的容量，同时提高了可写入/擦除次数及可靠性，并提高了写入速度。
自2007年在推出了3D堆叠式结构闪存以来注3，东芝一直致力于优化大批量生产的研发。为更好地满足快速增长的闪存市场需求，东芝将瞄准大容量、小型化的应用领域，积极推动3D堆叠式结构闪存，推出SSD等产品组合。
东芝于1987年在世界上zui早开发出NAND闪存，作为闪存世界的*，一直秉承专业的精神，为消费者提供高速、的专业闪存体验。目前，这一产品在东芝四日市工厂开始生产，预计于2016年上半年完工的新工厂也将生产该产品。
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