FF200R12KS4特点
北京耀族科技有限公司
2012/8/23 14:52:51>> 进入商铺产品种类:IGBT模块(三极管)
配置:Dual
集电极—射极击穿电压:1200V
集电极—射极饱和电压:3.2V
集电极zui大连续电流Ic:200A
栅极—射极漏泄电流:400nA
功率耗散:1.4KW
封装/箱体:IS(62mm)
集电极—发射极zui大电压VCEO:1200V
栅极/发射极zui大电压:20V
zui大工作温度:+125C
zui小工作温度:-40C
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