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面议KA高频可控硅参数KA高频可控硅价格KA高频可控硅图片KA高频可控硅又称晶闸管,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件。可控硅可以工作在高电压、大电流、较高的频率下,用于大功率直流开关、电脉冲加工电源、激光电源和雷达调制器等电路中,具有耐压高、容量大、体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点,是比较常用的半导体器件之一,被广泛用于自动控制控制,机电领域,工业电气及家电等方面。目前分为:单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管等等。
KA高频可控硅产品特点: 1、全扩散工艺 2、分布式扩展放大门极结构 3、开关损耗低 4、优良的动态特性 5、优良的高频性能,适用频率2.5KHz-10kHz 6、平板型陶瓷管壳封装 7、双面冷却
KA高频可控硅典型应用: 1、逆变器 2、电焊机 3、斩波器 4、感应器 5、各种类型的强迫换流器
KA高频可控硅注意事项: 1、注明您需要的产品的型号、结构(螺栓、凹台、凸台)、配置散热器型号。
2、注明您zui关注的参数要求。
3、选择电流电压时要留有适当的余量;
4、线路中须有过压过流保护措施,串并联使用时必须有均流措施。
5、用万用表简单判断器件是否损坏: 门阴极间电阻,应有十几或几十Ω,否则门极已短路或开路。阴阳极间电阻,应大于1MΩ,(整流管正向除外),电阻小于1MΩ表明器件极间绝缘性能不良,电阻近零时表明器件已击穿。
型号 | VDRMVRRM | IT(AV) | tq | ITSM | I²t | dv/dt | di/dt | IDRMIRRM | IGT | VGT | VTM/ ITM | Rth ( j-hs ) | Tjm | F | 外形图 |
| Ths55°C | 100°C | 10ms | 115°C | 25°C | ||||||||||
V | A | us | KA | KA²s | V/us | A/us | mA | mA | V | V/A | °C/W | °C | KN |
| |
G35KAD | 1200-1400 | 400 | 8-10 | 4.8 | 144 | 500 | 250 | 30 | 30-250 | 0.8-3.0 | 3.2/1200 | 0.035 | 115 | 15-20 | K1(查看) |
G40KAD | 1200-1400 | 500 | 8-10 | 6 | 180 | 500 | 250 | 50 | 30-250 | 0.8-3.0 | 3.2/1200 | 0.032 | 115 | 15-20 | K2(查看) |
G45KAD | 1200-1400 | 600 | 8-10 | 7.2 | 260 | 500 | 250 | 60 | 30-250 | 0.8-3.0 | 3.2/1200 | 0.03 | 115 | 18-25 | K3(查看) |
G50KAD | 1200-1400 | 800 | 8-10 | 9.6 | 461 | 500 | 250 | 80 | 30-250 | 0.8-3.0 | 3.2/1200 | 0.024 | 115 | 19-26 | K4(查看) |
G55KAD | 1200-1400 | 1000 | 8-10 | 12 | 720 | 500 | 250 | 100 | 30-250 | 0.8-3.0 | 3.2/1200 | 0.022 | 115 | 21-30 | K5(查看) |
KA高频可控硅经我公司鉴定,确定质量问题的产品,保退保换。退换时须携带原产品合格证。
襄阳硅海电子主要产品有普通可控硅、快速可控硅、高频可控硅、双向可控硅等,同时生产可控硅模块、功率半导体组件、电力半导体用散热器等。