供应三菱铁路机车IGBT模块CM1200HB-50H-三菱IPM-北京京诚宏泰科技有限公司

北京京诚宏泰科技有限公司供应三菱铁路机车IGBT模块CM1200HB-50H

IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT与MOSFET的对比
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
北京京诚宏泰科技有限公司销售IGBT模块CM1200HB-50H晶体管
优点：热稳定性好、安全工作区大。
缺点：击穿电压低，工作电流小。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。

轨道车辆中广泛采用IGBT模块构成牵引变流器以及辅助电源系统的恒压恒频（CVCF）逆变器。国外的地铁或轻轨车辆辅助系统都采用方案多样的IGBT器件。
动车组中，主变流器的开关使用耐压高达6500V／600A的IGBT器件，辅助变流器采用开关频率为1950Hz的PWM技术，由3台双IGBT和相关反并联二极管组成，每台双IGBT组成三相中的一相

三菱电机基于高可靠性、高鲁棒性及低损耗设计了X系列HVIGBT，在H系列和R系列相同封装的基础上，进一步扩展了电流等级。

X系列HVIGBT芯片采用了表面电荷控制(SCC)技术，该技术使HVIGBT模块具有出色的湿度鲁棒性，如图11.14所示。在传统结构中，由于芯片终端覆盖有绝缘层，因此没有释放表面电荷的路径。然而，在采用SCC技术的终端结构中，表面电荷可以通过半绝缘层泄放，表面电荷不会对芯片终端电场产生不利影响。因此，即使有凝露，也能保持优良的阻断电压特性。北京京诚宏泰科技有限公司

X系列HVIGBT利用了第7代芯片的优势，IGBT采用了CSTBT (III)（Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor）芯片技术，续流二极管采用RFC (Relaxed Field of Cathode)结构。这两种芯片技术可以实现通态损耗、开关损耗的降低和增强的开关性能，同时扩展了鲁棒性、低损耗和SOA这三项技术边界。其饱和压降和反并联二极管的正向压降与H系列HVIGBT相比北京京诚宏泰科技有限公司

对于动车组，推荐的HVIGBT型号如下：

供应三菱铁路机车IGBT模块CM1200HB-50H

对于地铁或轻轨，推荐的HVIGBT型号如下

供应三菱铁路机车IGBT模块CM1200HB-50H

不同于机车与动车组，地铁或轻轨站与站之间的距离较短，牵引变流器需要不断的启停，对HVIGBT模块来说，结温和壳温的温度波动循环更多。因此除了高可靠性要求外，还需要HVIGBT具有足够的寿命，满足牵引变流器的寿命设计要求。北京京诚宏泰科技有限公司

与前几代相比，X系列使用高温焊料进行芯片连接。此外，除了金属化陶瓷基板的改进，用于将基板连接到底板的焊料也得到了改进。最后，采用改进的凝胶材料进一步提高了功率循环能力。与前一代相比，新封装技术使功率循环能力提高了2.7倍

产品属性	属性值	搜索类似
制造商:	Misubsh Elecric
产品种类:	IGBT 模块
供应商：	北京京诚宏泰科技有限公司
RoHS:	N
产品:	IGBT Silicon Modules
配置:	Triple
集电极—发射极电压 VCEO:	1700 V
集电极—射极饱和电压:	3.45 V
在25 C的连续集电极电流:	800 A
栅极—射极漏泄电流:	0.5 uA
Pd-功率耗散:	11300 W
封装 / 箱体:	Module
工作温度:	- 40 C
工作温度:	+ 125 C
封装:	Bulk
商标:	Misubih Electc
栅极/发射极电压:	20 V
安装风格:	SMD/SMT
产品类型:	IGBT Modules
系列:	CM1200HB-50H
	2
子类别:	IGBTs
技术:	Si

CM1200HC-50H除了IGBT外，该模块还包括集成式(集成的)门驱动电路，以及检测和防止过流、过压、过热和门驱动电压不足(门极驱动欠压)等故障的电路。

HVIPM（High Voltage Inligent Power Module）为了进一步发挥IGBT芯片的性能，采用的驱动电路，是将自我保护（过电流、控制电源电压降低、过热）功能等实现IC化的高性能模块。为大容量变换器装置的小型化和节能化贡献力量，作为IPM，产品阵容中的zui大额定值达到3.3kV/1.2kA北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货北京京诚宏泰科技有限公司供应IGBT模块CM1200HB-50H

IGBT逆变模块IGBT inverter module3EST000223-1474IGBT 3300V 1500A MBN1500E33E2

IGBT制动模块IGBT braking module3EST000223-2841IGBT 斩波器3300V 1000A MBL1000E33E2-B

北京京诚宏泰科技有限公司是一家集渠道、分销、经销、直销及OEM模式为一体的电力电子半导体销售和电力电子行业解决方案的产业链供应商。

专业销售国内外品牌电力电子半导体器件、变频器、变频器配件、铝电解电容和功率模块；主要经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、

SIEMENS西门子、西门康Semikron、 IXYS艾赛斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon伟肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飞兆半导体、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因达NIEC，美国IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼尔；yaskawa安川；

英国西玛，西班牙CATELEC等公司生产的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶闸管、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块；日本富士（FUJI）、

日之出（HINODE）、法国罗兰（FERRAZ）、英国GOULD、美国BUSSMANN快速熔断器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),

Itelcond,意大利FACON,德国伊凯基ELECTRONICON，法国汤姆逊TPC，日本日立、黑金刚NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；

红宝石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力发、英国BHC，BHC Aerovox 电解电容以及美国CDE无感电容；瑞士CONCEPT IGBT驱动、光耦、变频器主控板、驱动板，电源板，通信板，接口板

产品简介

详细介绍