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MF(C、X、K、A)--K 快速晶闸管/二极管混合模块 (SCR/Diode Fast) |
特点 | 典型应用 | 说明 | ||
● 芯片与底板电气绝缘 | ● 逆变器 | ● VDSM/VRSM=VDRM/VRRM 200V | ||
● 标准封装 | ● 感应加热 | ● 除非另作说明,IGT、VGT、IH、VTM、VISO为常温测试值; | ||
● 全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力 | ● 斩波器 | 表中其他参数皆为在Tjm=115oC下测试值。 | ||
● 160A(含)以下模块皆为强迫风冷,200A(含)以上模块 | ● I2t=I2TSM × tw/2,tw=正弦半波电流底宽, | |||
既可强迫风冷,也可选用水冷 | 在50HZ下,I2t(10ms)=0.005I2TSM (A2S)。 | |||
● 安装简单,使用维修方便 | ● 型号栏(Type)中,,MF*-K表示MFC(C)--K、MFC(A)--K、MFX--K | |||
● 体积小,重量轻 | MFK--K、MFA--K中的任一种,MFX--K由MFC外加连接片构成。 | |||
MFC(C)--K 共阴串联 | MFC(A)-K- 共阳串联 | MFX--K 反并联 | MFK--K 共阴对接 | MFA--K 共阳对接 |
Type | ITAV (A) IFAV (A) | VDRM /VRRM | IDRM /IRRM | ITSM IFSM | VTM VFM | @ITM @IFM | IGT | VGT | IH | dv/dt | di/dt | tq | trr | Rjc | VISO | VT0 VF0 | rT rF | SA | outline |
@TC=85oC | (V) | (mA) | (KA) | (V) | (A) | (mA) | (V) | (mA) | (V/us) | (A/us) | (us) | (us) | (oC/w) | (V) | (V) | (mΩ) | (cm2) | ||
MF*-K 55Y | 55 | 600-1600 | 20 | 1.1 | 2.25 | 170 | 150 | 2.0 | 100 | 1000 | 200 | 15-35 | 1.5 | 0.25 | 2500 | 0.85 | 8.23 | 1500 | M2-20Y3 |
MF*-K 90Y | 90 | 600-1600 | 20 | 1.8 | 2.10 | 270 | 150 | 2.0 | 100 | 1000 | 200 | 15-35 | 1.5 | 0.20 | 2500 | 0.85 | 4.63 | 2000 | M2-34Y3 |
MF*-K 160Y | 160 | 600-1600 | 25 | 3.2 | 1.78 | 480 | 180 | 2.0 | 100 | 1000 | 200 | 15-35 | 2.0 | 0.14 | 2500 | 0.85 | 1.94 | 3000 | M4-53Y3 |
MF*-K 200Y | 200 | 600-1600 | 30 | 3.5 | 1.77 | 600 | 180 | 2.0 | 100 | 1000 | 200 | 15-35 | 3.0 | 0.10 | 2500 | 0.90 | 1.45 | 5800 | |
MF*-K 250Y | 250 | 600-1600 | 30 | 4.0 | 1.95 | 750 | 180 | 2.0 | 100 | 1000 | 200 | 15-35 | 3.0 | 0.11 | 2500 | 0.90 | 1.40 | 7300 | M4-63Y3 |
MF*-K 300Y | 300 | 600-1600 | 40 | 5.6 | 2.25 | 900 | 180 | 2.0 | 100 | 1000 | 200 | 15-35 | 3.0 | 0.11 | 2500 | 0.90 | 1.50 | 10500 | |
MF*-K 400Y | 400 | 600-1600 | 40 | 7.8 | 2.15 | 1200 | 200 | 2.0 | 100 | 1000 | 200 | 15-35 | 4.0 | 0.07 | 2500 | 0.90 | 1.04 | 12000 | M4-76Y3 |
S系列 水冷模块,都是压接式 | |||||||||||||||||||
MF*-K 200S | 200 | 600-1600 | 30 | 3.5 | 1.77 | 600 | 180 | 2.0 | 100 | 1000 | 200 | 15-35 | 3.0 | 0.14 | 2500 | 0.90 | 1.45 | -- | M4-53S3 |
MF*-K 250S | 250 | 600-1600 | 30 | 4.0 | 1.95 | 750 | 180 | 2.0 | 100 | 1000 | 200 | 15-35 | 3.0 | 0.12 | 2500 | 0.90 | 1.40 | -- | |
MF*-K 300S | 600 | 600-1600 | 40 | 5.6 | 2.25 | 900 | 180 | 2.0 | 100 | 1000 | 200 | 15-35 | 3.0 | 0.11 | 2500 | 0.90 | 1.50 | -- | M4-63S3 |
MF*-K 400S | 600 | 600-1600 | 40 | 7.8 | 2.25 | 1200 | 180 | 2.0 | 100 | 1000 | 200 | 15-35 | 3.0 | 0.09 | 2500 | 0.90 | 1.13 | -- | |
MF*-K 500S | 600 | 600-1600 | 40 | 9.0 | 2.25 | 1500 | 180 | 2.0 | 100 | 1000 | 200 | 15-35 | 4.0 | 0.08 | 2500 | 0.90 | 0.90 | -- | M4-66S3 |
MF*-K 600S | 600 | 600-1600 | 40 | 10.8 | 2.25 | 1800 | 180 | 2.0 | 100 | 1000 | 200 | 15-35 | 4.0 | 0.07 | 2500 | 0.90 | 0.75 | -- | M4-76S3 |
型号说明 和 参数符号说明 | |||||
● 型号栏(Type)中,MF*-K表示MFC(C)--K、MFC(A)--K、MFX--K、MFK--K、MFA--K中的任一种,MFX--K由MFC外加连接片构成。 | |||||
● 型号栏(Type)中,MF*-K--Y表示压接式,MF*-K--S表示水冷。 | |||||
di/dt 通态电流临界上升率 | dv/dt 断态电压临界上升率 | I2t 电流平方时间积 | IDRM 断态重复峰值电流 | IGT 门极触发电流 | IH 维持电流 |
IRRM 反向重复峰值电流 | IFAV 正向平均电流 | ITAV 通态平均电流 | IFM 正向峰值电流 | ITM 通态峰值电流 | IFSM 正向不重复浪涌电流 |
ITSM 通态不重复浪涌电流 | rF 正向斜率电阻 | rT 通态斜率电阻 | Rjc 结壳热阻 | SA *散热面积 | TC 壳温 |
Tjm zui高结温 | VDRM 断态重复峰值电压 | VDSM 断态不重复峰值电压 | VGT 门极触发电压 | VISO 绝缘电压 | VRRM 反向重复峰值电压 |
VRSM 反向不重复峰值电压 | VFM 正向峰值电压 | VTM 通态峰值电压 | VFO 正向门槛电压 | VTO 通态门槛电压 | outline 外形 |