太阳能逆变器的设计中，常用的IGBT分别为平面型IGBT和沟道型IGBT。在平面型IGBT中，多晶硅栅 极是呈“平面”分布或者相对于p+体区是水平分布的。在沟道型IGBT中，多晶硅栅极是以“沟道方式向下”进入p+体区。这种结构有一个优点，就是可以减 小通道对电子流的阻力并消除电流拥挤现象，因为此时电子垂直地在通道中流过。在平面型IGBT中，电子以某种角度进入通道，引起电流拥挤，从而增加电子流 的阻力。在沟道型IGBT中，电子流的增强使Vce(on)大幅度降低。

除了降低Vce(on)外，通过将IGBT改成更薄的结构可以降低开关能量。结构越薄则空穴-电子复合速度就越快，这降低了IGBT关断时的拖尾电流。为 保持相同的耐击穿电压能力，在沟道型IGBT内构造了一个n场阻止层，以便在IGBT上的电压增大时，阻止电场到达集电极区域。这样实现的更低的传导能量 和开关能量允许逆变器的尺寸更小，或者相同尺寸逆变器的功率密度更大。

在太阳能发电系统中太阳能电池板