IGBT驱动电路

IGBT模块的说法还要追溯到80年代，实际上IGBT的集成结构很复杂，其本身的工作频率比二极管要高很多。按照现在的发展趋势，IGBT是未来半导体器件的主力。进一步把驱动功率给降低很多。

对于IGBT驱动电路的设计来说：电源的情况，元器件关断偏置，耐固性，以及门级电路负荷等等是主要的 参数考核（这些仅适用在功率偏大的IGBT驱动电路）。所谓的门级偏压在很大程度上影响着关断特性，因此在设计门级电路的时候，要考虑负载电压的能力以及 dVcE／dt 造成电流所引起的误触发问题，以及门级的电阻大小、正负偏压情况等等所引起的开关受损、承压电路能力等等。