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MEMS加速度传感器尺寸、功耗将不断改进

时间:2012-12-07      阅读:467

MEMS加速度传感器工艺尺寸将以8英寸为主,低功耗化已成为加速度传感器厂商形成差异化的重要因素之一。
    在工艺方面,消费电子类MEMS传感器以8英寸为主;汽车电子和医疗电子类MEMS传感器以6英寸为主,预计到2018年左右基本以8英寸为主。
    为进一步改进尺寸及功耗以满足市场需求,MEMS厂商也在加快应用新技术。意法半导体、博世和飞思卡尔等厂商都推出了2mm×2mm的3轴加速度传感器,如意法半导体的LIS2DH、博世的BMA250、飞思卡尔的MMA8652等产品。而国内厂商苏州明皓预计2013年*季度推出国内2mm×2mm的3轴加速度传感器。展望未来,意法半导体、博世等大厂欲采用WLCSP和TSV技术以便生产更为小巧的加速度传感器,面积有望缩小75%,达到1mm2。
    为了降低功耗,MEMS厂商除了不断降低工作电流,还推出具有FIFO功能和低功耗模式的加速度传感器。如ST LIS3DH拥有32级FIFO缓存器,可以用来缓存数据,减少处理器读取次数,以减轻处理器负担和降低功耗。目前低功耗化已成为加速度计厂商形成差异化的重要因素之一,降低功耗后不仅在智能手机市场上的销售量会越来越多,而且还能够以此为契机涉足要求低功耗化的其他应用领域。

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