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单晶硅与压电压力传感器的区别

时间:2012-11-01      阅读:657

单晶硅压力传感器的原理
单晶硅基于 MEMS(微机电)技术的压力传感器,它是建立在微米/纳米基础上,在单晶硅片上刻融制作惠斯登电桥(Wheatstone bridge)组成的硅应变计,经500℃以上高温熔化玻璃,将硅应变片烧结在17-4PH不锈钢传感弹性体上,弹性体受压变形后产生电信号,由带微处理器的数字补偿放大电路进行放大,经数字软件进行全智能温度补偿,输出标准信号。在标准净化生产过程中,参数严格受控,避免了温度、湿度及机械疲劳的影响,具有频响高、工作温度宽等特点,保证了传感器在工业恶劣环境中使用的长期稳定性。
压电压力传感器原理
压电压力传感器中主要使用的压电材料包括有石英、酒石酸钾钠和磷酸二氢胺。其中石英(二氧化硅)是一种天然晶体,压电效应就是在这种晶体中发现的,在一定的温度范围之内,压电性质一直存在,但温度超过这个范围之后,压电性质*消失(这个高温就是所谓的“居里点”)。
压电效应是压电传感器的主要工作原理,压电传感器不能用于静态测量,因为经过外力作用后的电荷,只有在回路具有无限大的输入阻抗时才得到保存。实际的情况不是这样的,所以这决定了压电传感器只能够测量动态的应力。

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