RD-200硅半导体辐射检测仪RD200

主要特点

◆有多个探测器，灵敏度高，响应速度快

◆装有高清晰度的彩色画面，有机EL 显示屏

◆耐冲击性强

◆量程宽，为0.1 μSv/h ～ 999.9mSv/h

◆小巧轻便，可用单手操作，操作简单

技术指标

◆探测射线：X 射线，γ 射线

◆探测器：硅半导体

◆探测量程：0.1 μSv/h ～ 999.9 mSv/h

◆探测精度：≤ ±10 % （ 2μSv/h ～ 999.9

 mSv/h：标准 137Cs）

≤ ±20 % （ 0.1μSv/h ～ 1μSv/h：标准 137Cs）

◆探测能量范围：50 keV ～ 6 MeV

◆线性：≤ ±30 % （50 keV ～ 1.5 MeV：标

准 137Cs）

◆方向特性：≤ ±25 %

（ 水平：±180°垂直 : 60 ～ +240°：标准 137Cs）

◆显示屏：彩色有机 EL 显示屏 （5 位）

◆显示范围：0.00μSv/h ～ 999.99 mSv/h

◆显示功能：显示単位 （μSv/h / mSv/h） 自动切换

溢出报警显示

显示电池电压低下的报警显示

◆电池寿命：连续显示：3 小时以上

◆间歇显示：12 小时以上（5 分钟当中只显示1 分）

◆数据输出：红外线通讯

（测量数据为600 点）

◆抗冲击性：从1.5 m 垂直落下时的显示变动在±10% 以内

◆防水功能：生活防水

◆电源：镍氢充电电池1节或碱性电池5号1节

◆工作温度：-10 ～ +40 ℃ / 14 ～ 104°F

◆工作湿度：≤ 90 %RH　（ 无结露）

◆尺寸：65（W） × 150（H）× 29（D） mm

2.56（W）× 5.9（H）× 1.14（D） in.

◆重量：约 300 g / 0.66 lb