特性：          
• zui低的开关损耗使开关频率达到20kHz以上的应用具备较高的能效      
• 软开关波形带来出色的抗EMI性能        
• 低集电极-发射极饱和电压带来低通态损耗       
• 适用于目标应用的优化二极管具备低二极管损耗和快速恢复时间      
• 符合RoHS          
• 正集电极-发射极温度系数意味着热损失不是问题和轻松实现并联      
• 5微秒的短路额定值         
      
TRENCHSTOP™ IGBT：逆导软开关系列       
基于IGBT和反并二极管位于单芯片的新技术，新一代IGBT能有效优化解决方案的成本    
特性：          
• 具备zui低的集电极-发射极饱和电压和Vf确保了高效能和高品质要求     
• 软电流关断优势         
• zui低的开关损耗         
优势：          
• 降低总体系统成本         
• zui低的功耗         
• 低散热要求         
• 降低EMI滤波要求         
• *的性价比         
全面的产品覆盖：600V、900V、1000V、1200V和1600V。      
目标应用：包括电磁炉、电饭煲、变频式微波炉和所有其他软开关应用