光敏传感器(替代光敏电阻)符合ROSH要求LXD/GB5-A1DPN

LXD/GB5-A1DPN光敏传感器(替代光敏电阻)符合ROSH要求LXD/GB5-A1DPN

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具体成交价以合同协议为准
2022-04-18 18:02:22
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产品简介

光敏传感器系列
•产品型号:LXD/GB5-A1DPN
•替代CDS光敏电阻 •符合RoHS指令/无铅/无镉
•普通型光敏傳感器
典型应用:
•替代光敏电阻(CDS)
•调节背景光,如LCD显示器,电视,PDA, 照相机和等
特性:
•随光照度变化线性输出内置滤光镜,其光谱响应特性类似人眼.
•低工作照度符合RoHS指令/无铅/无镉

详细介绍

 

光敏传感器系列
·产品型号:LXD/GB5-A1DPN
·替代CDS光敏电阻 ·符合RoHS指令/无铅/无镉
·普通型光敏傳感器                      
典型应用:
·替代光敏电阻(CDS)
·调节背景光,如LCD显示器,电视,PDA, 照相机和等
特性:
·随光照度变化线性输出内置滤光镜,其光谱响应特性类似人眼.
·低工作照度符合RoHS指令/无铅/无镉
1.      zui大額定值(Ta= 25°C)
 

特性參數
符号
額定值
单位
集電極-發射級電壓
VCEO
70
發射級-集電級電壓
VCEO
7
集電極電流
IC
20
毫安培
集電極功耗
PD
100
毫瓦
工作溫度
Topr
-25~+70
儲存溫度
Tstg
-25~+80
焊接溫度(5 秒)※1
Tsol
260

※1 At the position of 2mm from the bo ttom of the package within 5 s econds
2. 光電特性(Ta= 25°C)
 

參數
符号
測試條件
zui小
典型
zui大
单位
集電極光電流
IC
VCE=5V, Ev= 100Lux,
(Ee=1Mw/cm22
310
328.5
339
微安培
集電級暗電壓
ICEO
VCE=5V, Ee= 0 2
 
 
10
納安
集電極-發射級飽和壓降
VCE(sat)
IC=20mA,IB=100uA
 
 
2.0
峰值波長
λp
 
 
850
 
納米
光譜靈敏度
Δλ
 
450~1050
納米
半角度
Δθ
 
 
±60
 
反應時間(上升)
tr
VCC=5V, IC=1mA
RL=1K
 
15
 
微秒
反應時間(下降)
Tf
 
15
 
微秒
增益
hFE
VCE=5v IC=2mA
1200
 
2000
 

※2 Ev ,Ee are illuminance irradiant by CIE standard light source A(tungsten lamp)at 2856K。
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