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FT1000SA系列MEMS三轴电容加速度传感器
一、传感器特点：
FT1000SA三轴MEMS电容加速度传感器由本公司自行研制，用于测量单轴加速度的传感器。它采用高精度MEMS芯片，具有BIMOS信号限制电路。设计考虑多用户的需求，制造采用表贴工艺技术。具有高可靠性和高封装坚固性。
三轴电容加速度传感器可用于汽车测控、惯性导航、飞行器安全系统、地震监控、倾斜、速度和位置的惯性、振动和冲击试验台加速度的测量等系统中。
二、产品性能
灵敏度（20±5℃） | X Y Z:～40-20mv/g |
测量范围（峰值） | 50~100 g |
横向灵敏度 | ≤1 ％ |
频率响应（±5%） | DC ～12000 Hz |
安装谐振频率 | 25,000 Hz |
频谱噪声 | 25 μg/√Hz |
工作温度范围 | -40～+120 ℃ |
温度响应 | 见温度曲线 |
极性 | 正向 |
温度灵敏度稳定性 | 5% |
磁灵敏度 | 2 g/T |
线性度为满度范围 | ±0.1% |
安装 | M5螺钉/安装座/磁座 |
敏感材料 | MEAS芯片 |
壳体材料 | 钛合金 |
重量 | 13g |
输出方式 | 九芯插头/5线制 |
供电电压 | DC7-12V |
配套件 | |
传感器合格证 | 标定参数、频响曲线 |
M5螺栓/安装座 | 一套 |
9芯/（2 米） | 1根 |
FT1000SA系列MEMS电容三轴加速度传感器是建造在硅晶片顶部的表面MEMS多硅结构。多晶硅簧片悬浮在晶片表面的结构，并提供一个克服加速度感应力的阻力。用包含两个独立的固定板和一个与运动质块相连的板形成的差动电容器机构来测量比例于加速度的多硅结构的偏转，从而产生电压输出信号。
