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CDD60N08西班牙二极管模块
二极管的反向特性主要表现在当两端加上反向电压时，电流非常小且基本保持恒定。这种电流被称为反向饱和电流或漏电流。不同材料的二极管，如硅和锗，其反向电流大小有所不同。例如，小功率硅管的反向饱和电流在纳安级别，而小功率锗管则在微安级别。此外，反向电流受温度影响显著，温度升高会导致少数载流子数目增加，从而使反向饱和电流增大。当反向电压超过某一阈值时，二极管将失去其单向导电特性，进入击穿状态 参考价￥800 -
FF450R12KT4igbt模块
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优 参考价￥460 -
FF1400R17IP4igbt模块
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优 参考价￥2600 -
FD200R12KE3igbt模块
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优 参考价￥380 -
FF200R12KT4IGBT可控硅
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优 参考价￥290 -
SKKH250/12E可控硅
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。 参考价￥380 -
SKM25GD125D西门康可控硅
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向 参考价￥200 -
170M3708巴斯曼熔断器
结构简单、体积小、质量轻、成本低廉。熔断器由熔体、触头插座、绝缘底板或绝缘支持物等组成，结构简单，便于制造和维护。1
动作可靠。当电路中通过的电流超过熔体的额定值时，熔体会因发热而熔断，从而切断电路，保护电气设备免受过载和短路电流的危害。2
维护方便。熔断器在使用过程中，如果熔断器中的熔体因过电流而熔断，只需更换熔体即可恢复电路的正常工作。3保护性、可靠性差。由于熔断器在熔断后必须更换或者维修 参考价￥200