型号：Ｍ+-E150

主要用途：

主要用途：

　　用于IC生产及元器件生产中晶片的湿法刻蚀、清洗工艺。其作用是去除晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石、塑料等附件器皿的污染物。广泛用于抛光片、扩散前、CMP后、氧化前及光刻后等关键工艺的清洗

型号：Ｍ+-E150

    湿法刻蚀是利用化学溶液和晶圆表面的材料发生化学反应生成气体、液体或者可溶于化学溶液的物质。去除需要刻蚀的部分，达到刻蚀的目的。湿法刻蚀主要包括三个基本过程，分别是湿法刻蚀、冲洗、甩烘干。湿法刻蚀清洗机按清洗的结构可分为槽式批量清洗和单片清洗机两种类型，而槽式清洗可分为半自动清洗和全自动清洗两种机台。

     槽体可分为酸碱刻蚀槽、溢流清洗槽、快速排水槽和使晶圆快速干燥的干燥槽等，另外根据湿法工艺要求的不同，还可增加加热或制冷、超声、抛动、鼓泡、旋转、循环等功能。加热是通过加热棒对反应液体进行快速加热，以达到工艺所需温度，提升湿法刻蚀速率；鼓泡是通过在反应液体中吹气，形成气泡，是液体与晶圆表面充分接触提高工作效率；抛动和旋转是通过机械臂使晶圆上下抛动，并旋转晶圆，使其和反应液体充分均匀接触，提高刻蚀速率均匀性。

      湿法刻蚀是一种纯粹的 化学反应过程。优点：1.应用范围广，适用于几乎所有材料；2.选择比大，易于光刻胶的掩蔽和刻蚀终点的控制；3.操作简单，成本低，适宜于大批量加工。缺点：1.为各向同性腐蚀，容易出现钻蚀；2.由于液体存在表面张力，不适宜于腐蚀极细的线条；3.化学反应时往往伴随放热与放气导致腐蚀不均匀。

      常见的腐蚀液有氧化硅腐蚀液、硅腐蚀液、氮化硅腐蚀液、铝腐蚀液等。

硅性质稳定，常温下不与强酸反应，因此腐蚀硅就需酸上加酸。浓硝酸加氢氟酸，发生氧化，硅氧化成二氧化硅，再被氢氟酸溶解去除。溶液中额外加一些醋酸(乙酸)，可防止硝酸氧化分解。氢氟酸、硝酸、醋酸三酸混合(氢氟酸Hydrofluoric acid、硝酸Nitric acid、醋酸Aetic acid,简称HNA)。
  氢氟酸刻蚀速率是480um/min，溶解一张硅片需两分钟。三酸的配比不同作用不同，加大硝酸的比例，有助于表面充分氧化再被腐蚀，硅片表面更加光滑。而增大氢氟酸的比例，刻蚀速度更快，硅片表面就更加粗糙。
  温度和搅拌影响刻蚀的速率。常常也会运用物理手段，比如增加超声波装置，产生机械波，来摇晃刻蚀溶液，液体在不间断的高频振动中持续压缩和释放，产生大量微小的空泡，这就是空穴现象(Cavitation)。生活中船舶螺旋桨也是利用空穴现象，桨叶在船下高速旋转时，生成大量泡泡，因为泡泡的生成和破裂伴随能量的释放也会因泡泡攻击而磨损。
  在芯片制程中，控制好超声波的振幅和频率，可利用直径合适的空泡在刻蚀中带走硅片表面的杂质。在用刻蚀液来清洗比较精密的芯片时，可以把高频超声波换成振幅更小的兆频(Megasonic)来减弱空穴的共振效应，避免损伤微小的器件结构。这里的清洗能洗掉硅片表面杂质，显现表面缺陷(defect) 。
  若硅和光刻胶的选择比是10 ： 1，那么每刻掉10um深的硅，就会损失1um厚的光刻胶。选择比越高，刻蚀就越省心，比如在后端的金属刻蚀中，选择比尽量高，只腐蚀金属，而不会过渡刻蚀到下层。不会影响已经做好的硅或氧化物结构。
  湿法刻蚀是没有方向的，或者说朝各个方向均匀腐蚀。这叫做各向同性(Isotropic)。各向同性意味着只能挖坑甚至会发生钻蚀，若挖穿本该被光刻胶保护的区域，会导致器件短路或者开路。

　　用于IC生产及元器件生产中晶片的湿法刻蚀、清洗工艺。其作用是去除晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石、塑料等附件器皿的污染物。广泛用于抛光片、扩散前、CMP后、氧化前及光刻后等关键工艺的清洗

型号：Ｍ+-E150

主要用途：
　　用于IC生产及元器件生产中晶片的湿法刻蚀、清洗工艺。其作用是去除晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石、塑料等附件器皿的污染物。广泛用于抛光片、扩散前、CMP后、氧化前及光刻后等关键工艺的清洗