CITLF3-硅锗SiGe低噪声低温放大器噪声温度≤4k 功耗27mW-筱晓（上海）光子技术有限公司手机版

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筱晓光子硅锗 (SiGe) 低噪声低温放大器

总览

CITLF3 是一种硅锗 (SiGe) 低噪声低温放大器，用于射电天文学和量子物理应用。当冷却至 12K 或更低时，该放大器在 0.01GHZ 至 4GHz 的频率范围内实现了 4K (0.06dB) 的平均噪声温度。100 MHz 时的低噪声温度为 2.5K。典型增益为 33dB，输入/输出回波损耗小于 -10dB。放大器是无条件稳定的。虽然放大器适合 0.01 GHz 至 4 GHz 的频率范围，但该放大器可用于 3 MHz 至 5 GHz。该放大器由单个正直流电源供电，佳电压为 2.0 V。此偏置下的功耗为 27 mW。然而，在低至 5 mW 的功耗下可以接收到良好的噪声温度。低功耗非常适合以 4K 运行的多放大器阵列。放大器为 20.7 mm x 15.9 mm x 8.7 mm，不包括连接器。输入和输出母头 SMA 连接器。

通用参数

主要特点

非常低的噪声，在 10 MHz 至 4 GHz 范围内平均为 4K。

由单个正直流电源供电。

以低至 5 mW 的直流功率提供可用增益和噪声。

2 针 Winchester DC 连接器。

可选的直流偏置三通。

可选输入保护二管。

尺寸 2.07 厘米 x 1.59 厘米 x 0.87 厘米。

性能特点@12K

射频频率 0.01 至 4.0GHz

获得

35dB±3dB

噪音温度<4K

噪声系数<0.06dB

佳直流电源

Vd=2.0V

ID=13.6mA

12 K时的电气规格

Description	Typical	Minimum		Maximum
RF Frequency 射频频率	.03-5 GHz	0.01 GHz		4 GHz
Gain	33 dB	33 dB ± 3 dB
Noise Temperature 噪声温度	< 4 K	2.5 K	4 K
IRL (-20log\|S11\|)	-12 dB	< -10 dB
ORL (-20log\|S22\|)	-15 dB	< -10 dB
DC Voltage 直流电压	2.0 V	1.2 V		3 V
DC Current	13.6 mA	2.7 mA		27.4 mA

300 K时的电气规格

Description	Typical	Minimum		Maximum
RF Frequency	.03-5 GHz	0.01 GHz		4 GHz
Gain	30 dB	30 dB ± 5 dB
Noise Temperature	< 60K	40 K	74 K
IRL (-20log\|S11\|)	-10 dB	< -10 dB
ORL (-20log\|S22\|)	-15 dB	< -10 dB
DC Voltage	2.0 V	1.2 V		3 V
DC Current	14.6 mA	5.4 mA		27 mA

典型测试结果–12 K时的佳直流偏压

典型测试结果–12 K时的直流偏压扫描

典型测试结果–12 K时的低频噪声

典型测试结果–12 K时的低频S参数

典型测试结果–12 K时的直流偏压扫描

CAD外壳图纸

更新时间：2023/5/24 17:35:26

产品简介

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筱晓光子 硅锗 (SiGe) 低噪声低温放大器

筱晓光子硅锗 (SiGe) 低噪声低温放大器