无掩膜数字光刻机 波长365nm 分辨率1.0um 灰度光刻64levels

无掩膜数字光刻机 波长365nm 分辨率1.0um 灰度光刻64levels

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2024-06-08 11:40:42
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筱晓（上海）光子技术有限公司

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产品简介

筱晓光子无掩膜数字光刻机MCML-110A总览产品特点采用数字微镜(DMD)的无掩膜扫描式光刻机，365nm波长直接从数字图形生成光刻图案，免去制作掩模板的中间过程，支持直接读取GDSII和BMP文件全自动化的对焦和套刻，易于使用晶圆连续运动配合DMD动态曝光，无拼接问题

详细介绍

 

筱晓光子 无掩膜数字光刻机 MCML-110A




总览

产品特点

采用数字微镜 (DMD) 的无掩膜扫描式光刻机，365nm波长

直接从数字图形生成光刻图案，免去制作掩模板的中间过程，支持直接读取GDSII和BMP文件

全自动化的对焦和套刻，易于使用

晶圆连续运动配合DMD动态曝光，无拼接问题。全幅面定位精度0.1um

套刻精度： 0.2um

500 nm / 1 um分辨率，100mm x 100mm大幅面（4~6寸晶圆），满幅面曝光时间5~30分钟

500um小线宽

可灰度曝光（128阶）

尺寸小巧，可配合用循环装置产生内部洁净空间

 

 
通用参数

应用

微流控、生物芯片、MEMS、功率器件、LED等试制加工

带有2.5D图案的微光学元件，衍射光器件制作

 教学、科研

 

参数

 

MCML-110A

MCML-120A

Wavelength 波长

365nm

365nm

Max. frame 大帧

100mm x 100mm

100mm x 100mm

Resolution 分辨率

1.0um

500nm

Grayscale lithography

灰度光刻

64 levels

128 levels

Max exposure

大曝光量

500mJ/cm2

2000mJ/cm2

Alignment accuracy

对准精度

<200nm

<100nm

field curvature

场曲率

< 1 um

< 1 um

Speed

速度

5mm2 /sec

2.5mm2 /sec

Input file

输入文件

BMP, GDSII

BMP, GDSII

Z level accuracy

Z精度

<1 um

<1 um

Environment

环境

20~25℃

20~25℃

 

样品


 

 

 

（SU8-2002, 2um胶厚，2寸硅基底）






 


总览

产品特点

采用数字微镜 (DMD) 的无掩膜扫描式光刻机，365nm波长

直接从数字图形生成光刻图案，免去制作掩模板的中间过程，支持直接读取GDSII和BMP文件

全自动化的对焦和套刻，易于使用

晶圆连续运动配合DMD动态曝光，无拼接问题。全幅面定位精度0.1um

套刻精度： 0.2um

500 nm / 1 um分辨率，100mm x 100mm大幅面（4~6寸晶圆），满幅面曝光时间5~30分钟

500um小线宽

可灰度曝光（128阶）

尺寸小巧，可配合用循环装置产生内部洁净空间

 

 
通用参数

应用

微流控、生物芯片、MEMS、功率器件、LED等试制加工

带有2.5D图案的微光学元件，衍射光器件制作

 教学、科研

 

参数

 

MCML-110A

MCML-120A

Wavelength 波长

365nm

365nm

Max. frame 大帧

100mm x 100mm

100mm x 100mm

Resolution 分辨率

1.0um

500nm

Grayscale lithography

灰度光刻

64 levels

128 levels

Max exposure

大曝光量

500mJ/cm2

2000mJ/cm2

Alignment accuracy

对准精度

<200nm

<100nm

field curvature

场曲率

< 1 um

< 1 um

Speed

速度

5mm2 /sec

2.5mm2 /sec

Input file

输入文件

BMP, GDSII

BMP, GDSII

Z level accuracy

Z精度

<1 um

<1 um

Environment

环境

20~25℃

20~25℃

 

样品


 

 

 

（SU8-2002, 2um胶厚，2寸硅基底）

更新时间：2023/5/24 17:35:26

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