QCL8340FP –8.34um 台式高功耗FP-QCL中红外量子级联激光器(TDLAS综合控制模块) 80mW
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976nm 单模泵浦激光器 输出功率 900mW 无光纤接头
面议976nm 单模泵浦激光器 输出功率680mW 输出光纤HI1060
面议974nm 单模泵浦激光器 输出功率360mW 14pin蝶形封装
面议850nm TO46 保偏光纤耦合VCSEL激光二管 不带TEC
面议850nm TO46 保偏光纤耦合VCSEL激光二管 输出功率1mW
面议850nm 偏振锁定单模VCSEL芯片激光器 输出功率0.9mW
面议850nm 单模VCSEL激光器TO46 带TEC 输出功率2mW
面议850nm 单模VCSEL激光器 TO46 不带TEC 输出功率2mW
面议1310nm 单模VCSEL激光器 带TEC 输出功率0.5mW
面议1550nm单模VCSEL激光器 不带TEC 窄线宽 输出功率0.5mW
面议1550nm单模VCSEL激光器 带TEC 窄线宽 同轴封装 SMF-28E
面议1550nm可调谐VCSEL垂直腔面发射激光器 带TEC 输出功率1mW
面议名称 | 型号货号 | 描述 | 参数 |
---|---|---|---|
QCL8340FP –8.34um 台式高功耗FP-QCL中红外量子级联激光器(台式光源) 80mW | LDC-MIR-QCL-W8340-1-FP-0100 | 中心波长8340nm;准直输出;激光器类型;QCL-FP;输出功率:80mW | 中心波长: 8.34µm 输出功率: 80mW |
QCL8340FP –8.34um 台式高功耗FP-QCL中红外量子级联激光器(TDLAS综合控制模块) 80mW,QCL8340FP –8.34um 台式高功耗FP-QCL中红外量子级联激光器(TDLAS综合控制模块) 80mW
高功率
结构紧凑,
软件智能控制
内置FPGA
中红外测试光源
中红外器件分析
技术参数 | 单位 | 技术指标 | |||||||
Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | |||||||
产品型号 | LDC-MIR-QCL-W8340-1-FP-0100 | ||||||||
输出功率1 | mW | 50 | 80 | 100 | |||||
峰值工作波长2 | um | - | 8.34 | - | |||||
光谱宽度(FWHM) | nm | - | 3 | - | |||||
输出边模抑制比(SMSR) | dB | 30 | - | - | |||||
M2因子 | <1.2 | ||||||||
输出光发散角 | Mrad | <2 | |||||||
输出隔离度3 | dB | - | 30 | - | |||||
波长温度系数 | nm/℃ | 0.6 | |||||||
波长电流系数 | nm/mA | 0.2 | |||||||
输出功率稳定度(15分钟)4 | % | - | ±0.5 | ±1.0 | |||||
输出功率稳定度(8小时)4 | % | - | ±1.0 | ±2.0 | |||||
输出功率可调范围 | % | 0 | - | 100 | |||||
输出功率调节模式 | 软件控制 | ||||||||
TEC稳定度 | ℃ | - | ±0.1 | ±0.2 | |||||
TEC工作范围 | ℃ | 0 | 30 | 50 | |||||
工作电压 | VAC | 100 | 220 | 240 | |||||
电功率功耗5 | W | - | - | 2 | |||||
工作温度 | ℃ | 0 | - | 55 | |||||
存储温度 | ℃ | -20 | - | 65 | |||||
规格尺寸 | mm | 343(L)×193(W)×180(H) 台式 |
技术指标说明:
1.输出功率可选;
2.峰值工作波长可指Ding;
3.输出功率稳定性测试条件为25度,开机预热30分钟后;
4.Max. 功耗是指极限工作条件下的整体功耗。
注意:激光器Max. 操作电流为520mA;操作温度0-50℃
一、光谱图(4℃、300mA)
二、功率曲线(10℃)
三、功率稳定性(10℃、475mA)
更新时间:2024/4/11 17:42:17